飞思卡尔推出高功率LDMOS晶体管

随着能源价格的不断上涨，广播行业开始寻求减少电源消耗和运营费用的创新方法。针对这种市场需求，飞思卡尔半导体推出超高效的射频功率晶体管。这款MRF6P3300H晶体管利用飞思卡尔先进的第六代高压（HV6）横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术，具备出色的射频性能，并能增强下一代功率放大器和发射器的工作效率和可靠性。作为率先采用LDMOS技术开发功率晶体管的公司，飞思卡尔提供了一系列面向无线和广播基础设施应用的LDMOS射频晶体管产品。

　　凭借高输出功率，300W的MRF6P3300H设备可以帮助功率放大器制造商降低系统级成本，因为它达到指定功率目标所需的频率晶体管数量更少。由于晶体管数量减少，功率放大器的设计更加紧凑，散热更少，冷却要求也就随之降低。

　　使用体积更小但效率更高的MRF6P3300H功率放大器，广播公司能够降低长期运营成本

。根据飞思卡尔对典型的5kW数字电视基站的分析，采用多个MRF6P3300H设备的功率放大器，能帮助广播公司降低5200美元的年运营成本。如此大幅的成本节约要归功于飞思卡尔设备的出色的工作效率和低热阻（降低冷却成本）。
　　飞思卡尔射频产品部门总经理Gavin Woods说："我们将MRF6P3300H设计成为广播市场上效率最高的功率射频晶体管。凭借MRF6P3300H的超群运行效率，功率放大器和发射器的制造商能够建立竞争优势。此外，使用这种设备，电视广播公司也能节省大量的运营成本。"

　　MRF6P3300H设备采用飞思卡尔独有的"Low Rth"封装技术，能够在放大器和发射器应用中实现出色的传热性能。这种封装技术带有专门设计的低热阻凸缘，能够加快热量从设备向散热片或其它冷却系统的传送，从而驱散热量。高效的散热功能使晶体管能在较低温度下运行，从而极大地提高可靠性和工作寿命。 　　MRF6P3300H采用了行业标准封装，为现有的机械封装提供简单的直接替代品。通过这种方法，射频放大器制造商能实现高密度板卡设计的标准化，节约板卡资源，并降低系统级成本。如果要适应更大的非标准封装尺寸，就需要对板卡进行重新设计或更换工具，这将导致成本和功率放大器的机械复杂性的增加。

　　MRF6P3300H是飞思卡尔向超高频（UHF）广播市场推出的功率射频晶体管系列中最新且功率最高的一种。


MRF6P3300H RF晶体管目前正在进行采样，计划于第二季度末开始生产。


(摘自http://www.ednchina.com)