IR 推出全新 HEXFET 功率MOSFET系列
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装,具有超低导通电阻 (RDS(on)) ,适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动,以及电信设备等应用。
本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/111089.htm新款SOT-23MOSFET器件采用IR最新的中压硅技术,通过大幅降低90% RDS(on)显著改善了电流处理能力,为客户的特定应用优化了性能及价格。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“这个全新的SOT-23MOSFET系列支持从 -30V至100V的宽电压范围,并提供不同水平的 RDS(on) 和栅极电荷 (Qg) ,从而为追求紧凑、高效率及低成本解决方案的客户带来更佳、更广泛的设计选择。”
新器件达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 业界标准,所采用的材料不含铅,并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
产品规格
器件编号
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BVDSS
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25°C下的最大Id
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10V下的
典型/最大RDS(on)
(mΩ)
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4.5V下的
典型/最大RDS(on)
(mΩ)
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典型Qg
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IRLML9301TRPBF
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-30V
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3.6 A
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51 / 64
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82 / 103
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4.8 nC
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IRLML9303TRPBF
|
-30V
|
2.3 A
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135 / 165
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220 / 270
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2.0 nC
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IRLML0030TRPBF
|
30V
|
5.2 A
|
22 / 27
|
33 / 40
|
2.6 nC
|
IRLML2030TRPBF
|
30V
|
2.7 A
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80 / 100
|
123 / 154
|
1.0 nC
|
IRLML0040TRPBF
|
40V
|
3.6 A
|
44 / 56
|
62 / 78
|
2.6 nC
|
IRLML0060TRPBF
|
60V
|
2.7 A
|
78 / 92
|
98 / 116
|
2.5 nC
|
IRLML2060TRPBF
|
60V
|
1.2 A
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356 / 460
|
475 / 620
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0.4 nC
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IRLML0100TRPBF
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100V
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1.6 A
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178 / 220
|
190 / 235
|
2.5 nC
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