LTE时代本土芯片的机会在哪里？
虽然今年中移动的TDS终端销售目标是4000万，比去年的2500万大增，但是中移动同时也正式开始了6+1城市的TD-LTE规模测试。
耿学锋表示LTE规模试验将分为两阶段。即今年5-9月为第一阶段，进行TD-LTE单模测试，完成单模主要技术验证，5月完成招标工作，5-8月完成产品交付。终端主要是数据卡与接入网关(LTE转WiFi);今年10月-明年3月为第二阶段，进行TDD/FDD多模测试，分阶段完成LTE多模主要技术验证，2011年8月完成招标工作。2011年10月-2012年2月完成产品交付，产品必须支持TDD与FDD共模。2012年7-12月实现小批量的验证，产品完善、与供货。
虽然TD-LTE的规模测试刚开始，但是巨大的市场前景已引来如前文所述十家芯片公司加入，比之前的TDS芯片厂商数量增加了一倍多。除了已经通过2x2场测的海思半导体与创毅视讯，包括联芯科技术、中兴微电子、高通、展讯、STE、Marvell、重邮、东芯、Sequace、联发科技等都可能进来。TDS芯片市场已由一个区域市场的芯片之争变成全球芯片厂商之争，而首先通过场测的两家并不是早前TDS芯片的供应商，且他们的单模LTE也不能兼容TDS，这让人们不禁产生怀疑，中移动是不是要放弃TDS?
“当然不会。”魏然在会上非常肯定的回答：“不管是单模的TDD-LTE，还是双模的TDD/FDD-LTE，还是其它TD终端，都必须兼容TDS标准。”今年，中移动计划要将TDS的基站扩建达到达22-25万，中移动向LTE升级不可能放弃现有的巨大投入，这也是为了保证消费者的利益。
联芯科技副总裁刘迪军也对昌旭表示：“从我们了解的情况下来，工信部、中移动的态度都是要向后兼容TDS，这也没有什么可争论的。”刘迪军也顺便解释了下为什么联芯科技没有出现在第一波场测IC公司的名单中。“我们认为要拿出满足多个标准，且性能稳定、功耗指标都能满足消费者要求的芯片，而不是抢一个噱头。”他解释道，目前市场上已提供的TDD-LTE芯片不仅不能支持TDS，而且功耗也不能接受。“去年世博会上演示的产品还需要外接电源来驱动。这个用户肯定是不能接受的。”
虽然不是第一个通过场测，但联芯科目前已拿出了可以支持TD-LTE/TD-HSPA的双模基带芯片——LC1760，也是目前第一款可同时支持TDD与TDS的芯片。刘迪军表示该芯片将参加中移动六个城市的规模场测。“基于该芯片的数据卡，实测功耗仅为2.2W，基本上能满足数据卡的需求。”刘迪军表示，“下一步我们将通过优化将功耗进一步降低至1.5-1.8W。同时明年我们将推出支持TDD与FDD的共模LTE芯片——LC1761，并采用先进的40nm工艺。”
除了联芯科技外，据昌旭了解，中兴微电子的TDD-LTE也是向后兼容TDS的双模芯片。海思也准备推出兼容TDS的新版本。“TD-LTE的建设将以芯片的进展为轴心，以芯片的进度来考虑。” 工信部电信研究院通信标准研究所魏然在会上表示。显而易见，芯片仍是TD发展的短板。
“TD-LTE目前的情况有些像是2004年TDS的建设情况，TDS经过了五年的时间到2009年才规模商用。一般来说，从网络测试到规模商用的时间大概为5年，LTE也会走差不多的时间曲线。所以，未来几年TDS的增长前景仍是非常可观的。”刘光军表示。这也正如TDIA秘书长杨骅所述：“2011年TDS产业正式进入井喷期。”
TDS招标面向中高端，AP厂商哪些获益?
经过二年多的商用，中移动今年TDS终端的目标明显地锁定在中高端手机市场，包括平板电脑。耿学锋透露，今年第一批的1200万中高端TDS终端招标中，对于高端智能手机的要求是AP必须在1Ghz主频以上。目前入选的前三大AP厂商是：nVida，TI与高通。Marvell也有一些份额。
由于历史原因，目前几大主流TDS基带芯片厂商都不能直接支持高端智能手机，需要采用BB+AP的形式，这无疑增加了成本。所以，像WCDMA的发展一样，BB与AP集成一定是趋势，但是通信的稳定性仍是TDS手机的重要考虑因素，“不能仅仅考量手机的多媒体功能。”耿学锋表示，“联芯科技对于终端的底层优化作出很大贡献。”据悉，联芯科也正在研发一款集成BB+AP的高端智能TDS手机芯片，采用了A9内核，主频提升到1Ghz以上。计划明年6月进入量产。
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