ARM和TSMC签署65纳米和45纳米技术长期协议

　　ARM公司和台湾积体电路制造股份有限公司签署协议把公司的长期合作关系扩展至开发一套全新的ARM® Advantage™产品，该产品是Artisan®物理IP系列产品的一部分，用来支持TSMC的65纳米和45纳米工艺。通过该协议，用户可以从ARM Access Library Program获得针对TSMC先进技术的ARM Advantage产品。 　　


　　ARM Advantage IP提供高速、低功耗的性能表现，满足消费电子、通讯和网络市场众多应用的需求。Advantage标准单元包括功耗管理工具包，实现动态和漏泄功耗节省技术，例如时钟门控、多电压分离和电能门控等。它还提供五个Advantage存储编译器，提供相似的高级功耗节省特性。该产品套件在扩展了的电压范围内对时钟和功耗作了特殊设置，使得设计师可以完成多电压设计的精确模拟。此外，ARM还将发布TSMC Nexsys I/O产品，从而提供完整的物理IP。


　　Advantage IP包含了ARM广泛的views和模型集，提供了与众多业界领先的EDA工具的整合。这些views在广泛的运行条件下可以为Advantage产品提供功能、时钟和功耗信息，使得设计师可以在SoC中实现能够积极控制动态和漏泄功耗的复杂功耗管理系统。


　　TSMC 65纳米技术的成功是建立在其业界领先的0.13微米和90纳米技术的基础上。TSMC预计2006年65纳米产品将会有一个爆发式的增长。公司每2个月会启动65纳米的原型验证试验线，帮助客户和EDA、IP和库供应商就他们的尖端设计进行原型试验和验证。


　　TSMC 65纳米NexsysSM技术是其同时采用了铜互连和low-k绝缘技术的第三代半导体工艺。它是一个9层金属工艺，核电压1.0或1.2伏，I/O电压1.8，2.5或3.3伏。与TSMC现有的90nm Nexsys工艺相比，这项新工艺技术可以将使标准单元门的密度翻倍。它同时还有很具竞争力的六晶体静态随机存取记忆体(6T SRAM)和单晶体嵌入式静态随机存取记忆体（1T embedded DRAM）这两种存储单元尺寸。此外，该技术还包括支持模拟和无线设计的混合信号和无线电频率功能，支持逻辑和存储整合的嵌入式高密度存储，以及支持客户加密需求的电子保险丝选项功能。