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SEZ彰显DA VINCI平台的双面工艺功能

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作者: 时间:2006-04-27 来源: 收藏
与领先的内存器件制造商协同努力,优化了双面模块,
实现了同步的300-mm单晶圆正面和背面处理
者SEZ (瑟思)集团(瑞士股票交易市场SWX交易代码:SEZN)宣布,其旗舰产品Da Vinci家族系列喜添新丁。旨在进一步改善DRAM制造商拥有成本(CoO)的DV-38DS 产品以八个双面处理模块取代了SEZ 历经考验的300-mm DV-38机台中的八个标准反应室,从而确保了同步的、高产能的晶圆正面聚合物以及背面有机物/粒子的剥离。SEZ通过与全球领先的内存芯片制造商紧密合作,优化了双面功能,进而在最初的工艺阶段获得了卓越的晶圆均一性。

在去离子水之后,通过对晶圆的双面实施稀释过氧化硫+(DSP+) 化学试剂,双面模块帮助客户免去了执行多个单独步骤的需求,或使用沉浸(批式工艺流程)设备的需求。事实上,通过在Da Vinci平台上增加这一工艺功能,消除了延迟问题,提供了堪与批式系统相媲美的功能,不管客户的应用中是否需要,永远能够实现“自由的”背面清洗。

当前,随着存储器件对清洗的需求日益紧迫,双面清洗正逐步突显其重要意义,然而,批式工具无法实现与SEZ单晶圆湿式旋转处理水平相当的无损伤、高质量的结果。一般而言,DRAM结构形成会导致一些需要更进一步清洗的残留物,特别是对于日益紧缩的器件几何拓扑结构。使用一种酸性试剂解决方案同时处理正面和背面,诸如DSP+(不会产生与碱性的基于溶解的聚合物去除过程相同的清洗问题),在满足内存器件严格的交付窗口和高量产需求的同时,有效去除了这些残留物。

来自SEZ执行副总裁兼首席执行官Kurt Lackenbucher 的评论表明,若干因素促进了我们在产品功能集合中增加这一重要的新功能。Lackenbucher 表示:“我们的Da Vinci工具实现了批式水平的产能,而且更好、更彻底、不存在受损线路,因此,在Da Vinci平台中增加这一功能就是一个自然的发展。”他进一步强调说:“新功能同时也表明了我们在诸如DSP+等先进化学试剂应用的广泛经验,有效降低了量产DRAM制造的CoO。更重要的是,它是我们致力于与客户保持紧密的合作伙伴关系的有力佐证。这些历经市场考验的努力是公司承诺的核心组成部分,赋予了客户有机平衡新技术的能力,如SEZ Da Vinci平台的双面模块。”


SEZ 掀开DA VINCI平台双面模块的神秘面纱…………………………………………..Page 2 of 2

SEZ的 Da Vinci 系列是业界首个单晶圆湿式处理解决方案,面向90-nm以及更小技术标准制造过程中高量产的聚合物去除以及背面蚀刻和清洗。通过与关键客户的紧密协作开发,Da Vinci 工具旨在帮助芯片制造商们满足他们在超深亚微米时代的CoO和及时面市目标。单晶圆平台配备了面向200-mm和300-mm晶圆制造的随机携带的化学试剂、一个先进的用户界面以及一套先进的系统。

Da Vinci 平台诞生于2003年,已经实现了SEZ集团有史以来最快的市场接受速度,同时也是设备行业最快被引进的产品之一。目前,Da Vinci系统的销售收入已经占到SEZ设备总收入的60%。迅速的部署促进了存储器件细分市场由批式处理应用向单晶圆湿式清洗技术应用的变迁。更为重要的是,大型的存储芯片供应商已经完成了这一转换,为存储细分市场在更多的前段工艺过程(FEOL)率先采用单晶圆解决方案提供了重要的动力。


关键词:通讯网络无线

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