PCAP01 – 革新电容数字转换器单芯片方案

　　当应用补偿模式进行高精度测量时，可以使测量有非常低的增益和零点漂移。电容可以连接为接地，漂移模式。而传感器和参考电容是通过内部集成的模拟开关选择到放电网路中。另外由于专利的电路和补偿算法，内部可以补偿寄生电容。补偿的结果可以达到在温度范围内仅0.5 ppm /K 增益偏移。这比绝大多数传感器本身内部偏移要好得多。

　　对于电容传感器的测量，芯片提供了非常灵活的连接方式，对比典型的连接方式如下所示：

　　在芯片中用户可以自己选择是用内部集成的放电电阻进行电容的测量，还是外接放电电阻来进行测量，连接的方式如下图所示：

　　在电容测量当中，导线的寄生电容对于整个测量的影响是不能够忽略的。尤其当导线较长的情况下，导线寄生电容的影响将会对测量结果有致命的影响。在Pcap01当中，可以对传感器的导线寄生电容进行有效补偿：

　　通过上面的传感器连接的方式，可以补偿连接传感器两端的导线寄生电容，消除导线对于测量结果的影响。那么如果想要进行导线补偿，3个在漂移模式的测量需要被进行如下：

　　如果对于高稳定性高精度的测量，我们推荐连接传感器为漂移模式，来进行完全补偿。当然如果导线非常短，而且对于测量性能温度性能要求并不苛刻的情况下，也可以仅使用内部补偿，在接地和漂移模式下均可以应用：