SEZ推出单晶圆FEOL光阻去除创新解决方案

美国加利福尼亚州旧金山市，SEMICON WEST—2006年7月10日讯—业界领先的服务于半导体行业的单晶湿式处理解决方案首要创新者SEZ（瑟思）集团 (瑞士股票交易市场SWX代码：SEZN)于今日宣布集团己开发出新型化学制程，将极大地改善前段制程（FEOL）中的光阻去除制程。SEZ的专有技术Enhanced Sulfuric Acid™ (ESA™) 去除制程能够利用一系列以硫酸为主的化学试剂，极大地缩减了目前在光阻去除机或者批式环境中实施的光阻去除制程的步骤：光阻重修、蚀刻植入后和光阻去除以及在等离子光阻去除制程之后的残留物去除等。在数个重要客户的单反应室R&D设备上进行的评估实验证明，这一全湿式化学方法取得了令人振奋的效果，而且预计在本年度后期，实施在SEZ多反应室FEOL的量产生产设备上时，有望取得更大的进步。

光阻去除是一个耗时、耗成本的制程。在FEOL需要将近20个或更多的步骤来完成，其中植入后的光阻去除需要12到15次。由于在整个湿式清洗过程中，等离子光阻去除导致硅片的氧化和后来的氧化物去除，反复地执行这一步骤会导致严重的硅片累积损失，进而极大地降低了晶体管的性能。芯片制造商们需要的是能够应对这些挑战的清洗制程－在缩减整体步骤的同时，尽可能地减少硅片损失，而且能够确保更短的制程时间，以及实实在在的成本节约。 通过与关键客户的紧密合作，SEZ集团充分利用了在单晶圆层面的专家技术，开发出了灵活的全湿式化学方法，消除了对等离子光阻去除的需求，进而避免了因高温而产生的缺陷。与批式设备相比，单晶圆设备实现了一系列的优势：更好的缺陷控制（杂质颗粒在晶圆之间或者在晶圆晶背之间的转移减少）；更好的制程控制（均匀性得以改善，基材损失控制在最小）；以及更优化的耗材利用率（单晶圆设备能够循环使用化学试剂）。

SEZ集团执行副总裁兼首席运营官Kurt Lackenbucher先生表示：“通过我们的技术，毫无疑问地，我们在FEOL光阻去除应用方面的解决方案能够充分满足客户最直接、最紧迫的需求，而且能够创造出在FEOL制程范畴内实施单晶圆方法的重要机遇。ESA去除制程和SEZ即将诞生的FEOL平台的结合将创造出能够迅速量产的、高性能解决方案，在一个灵活的单晶圆设备上实现了光阻去除和残留物清除。这一解决方案象征着SEZ集团沿着我们的技术蓝图又迈出了新的战略性步伐，即专注于可预见的客户需求，推动单晶圆技术在整个制造环节的部署。”

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