德州仪器着眼于将嵌入式 FRAM 作为新一代非易失存储器技术

VLSI 研究公司总裁 G. Dan Hutcheson 说：“在开发作为新一代嵌入式非易失性内存的 FRAM 方面，TI 已向前迈出了重要的一步。通过采用标准 CMOS 工艺，该内存使 TI 可将非常紧密的内存单元与逻辑器件相集成。由于只需通过非常简单地添加制造工艺便可生产 FRAM，而且还具有其它非易失性内存技术难以抗衡的低成本、低功耗及高性能等优异特性，因此，在便携式应用中使用嵌入式 FRAM也 极具吸引力。”

用于嵌入式应用的 FRAM

FRAM 所具有的快速访问时间、低功耗、小单元尺寸及低制造成本等特性使之可用于程序和数据的应用，从而使它非常适合于无线产品。其它潜在市场应用还包括宽带接入、消费类电子产品及 TI 种类繁多的可编程 DSP。

TI 负责芯片技术开发的高级副总裁兼总监 Hans Stork 说：“我们相信在2005年内，FRAM 有能力成为各种应用领域对非易失性内存需求的理想选择。这有力地证明了，半导体材料研究及创新的产品设计可实现革命性的进步，TI 坚信 FRAM 能够改变嵌入式内存的产品动态。”

TI 最初的 FRAM 测试芯片是采用仅需两个额外掩膜步骤的标准 0.13微米铜线互连工艺制造而成。1.5V 的芯片展示了迄今为止最小的 FRAM 单元，经测量仅 0.54um