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TEA1520系列单片开关电源的应用电路及设计要点介绍

作者: 时间:2012-05-02 来源:网络 收藏

δ===0.11mm

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/171520.htm

查表1可知,EM(δ1)=0.10mJ,EM(δ2)=0.23mJ,而算出的EM=0.19mJ,恰好在0.10~0.23mJ之间,满足式(4)的规定条件,由此证明所选磁芯是合适的。为便于加工,实际气隙宽度可取整数值0.1mm。

3)一次绕组匝数NP计算公式为

NP=(5)

根据计算结果找出一个最接近于NP值的整数值,作为一次绕组的实际匝数。将δ=0.1mm,BM=275mT,IP=330mA,代入式(5)中,得到NP=133.2匝≈134匝。

4)二次绕组匝数NS

按下式计算NS并取整数值

NS=·NP (6)

式中,UF3为输出整流管的正向压降。实取UO=5V,UF3=0.4V(采用肖特基二极管),n=17,NP=134匝,代入式(6)中求出NS=8.5匝,取整数值8匝。

5)反馈绕组匝数NF

当电源电压UCC确定后,可按下式计算NF值

NF=·NS (7)

将UCC=15V,UO=5V,UF2=0.7V代入式(7)中求得,NF=22.04匝,取整数值22匝。

3.3 计算过流检测电阻RI

过流检测电阻用来限定IP值,亦即MOSFET的最大漏极电流ID(max)。RI上最大压降的典型值为URI=0.5V。RI的阻值可用下式求出

RI≤=(8)

当IP=330mA时,由式(8)计算出RI=1.5Ω。其最大功耗P=IPURI=0.165W,实选0.5W的电阻。

3.4 计算退磁电阻RAUX

计算退磁电阻的公式为

RAUX=0.7nUO (9)

式(9)中电阻的单位是kΩ。取UO=5V,n=NP/NS=134/8=16.75≈17,将nUO=85V代入式(9)中不难算出,RAUX=60kΩ。图2中实取75kΩ。

3.5 确定电源电压UCC

的电源电压典型值约为13V,实际可取20V以下。计算公式为

UCC=·(UO+UF2)-UF2 (10)

式中的UF2代表反馈中整流管VD2的正向压降。将NF=22匝,NS=8匝,UO=5V,UF2=0.7V一并代入式(10)中,得到UCC=15V。

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