看LED电源拓扑如何提升LED照明效能
图1显示三个基本电源拓扑的例子，第一张图所显示的降压稳压器，可使用于输出电压永远小于输入电压的情形。图1中，降压稳压器改变金属氧化半导体场效晶体管(MOSFET)的导通时间，以控制进入LED的电流。可越过电阻测量电压以进行电流侦测；电阻与LED为串联状态。驱动MOSFET是本方法在设计上的重大挑战，如果从成本及效能的观点来看，建议使用须要浮接闸极驱动的N信道FET。N信道FET须要使用驱动变压器或是浮动驱动电路，两者都可维持电压高于输入电压。
图1也显示替代的降压稳压器(Buck #2)。在此电路中，MOSFET的驱动与接地有关，大幅降低了驱动电路的需求。本电路侦测LED电流的方法为监控FET电流，或是与LED串联的电流侦测电阻。如果采用后者，则须要使用位准移位电路，将此信息送至接地电源，并将简单的设计复杂化。同样显示于图1中的升压转换器，则是在输出电压永远大于输入时使用。这种拓扑设计容易，因为MOSFET的驱动与接地有关，而电流侦测电阻也是属于接地引用类型。此电路的缺点是在短路时，无法限制通过电感的电流，可以使用保险丝或电路断路器，作为故障保护装置。此外，还有一些较复杂的拓扑可提供这类保护。
图2显示两种降压升压电路，可在输入电压可能大于或小于输出电压的情形下使用。这些电路与前述两种降压拓扑有相同的折冲特点，与电流侦测电阻与门极驱动的位置有关。图2的降压升压拓扑，显示接地参考的闸极驱动。此拓扑需要位准移位电流侦测讯号，不过反向的升压降压拓扑则具有接地参考的电流侦测及位准移位闸极驱动。如果控制IC与负输出有关，且电流侦测电阻与LED进行交换，即可利用有效的方式配置反向升压降压拓扑。只要适当控制IC，即可直接测量输出电流，也可以直接驱动MOSFET。
图2 降压升压拓扑中的输入电压，可大于或小于输出电压
降压升压的拓扑方式电流相对较高，举例来说，如果输入及输出电压相同，电感及电源开关电流是输出电流的两倍以上，这对效能及功率消耗会造成负面影响。图3的「升压或降压」拓扑可减轻这些问题，在此电路中会有一个升压功率级，之后则有一个降压功率级。如果输入电压高于输出电压，升压功率级就会提供电压调节，而降压功率级则只传递功率。如果输入电压低于输出电压，则降压功率级提供电压调节，升压功率级传递功率。通常降压及升压的运作，会有一些重迭的时间，因此在变换模式时不会出现死区(Dead-band)。
图3 降压或升压及SEPIC拓扑提供较高的效能
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