智能同步整流控制IC-IR1166／7A-B
3．1 UVLO／Sleep模式
IC保持在UVLO条件之下，直到VCC端电压超过VCC开启阈值电压Vcc on。在IC处于UVLO状态时，栅驱动电路处于非激活状态。IC的静态工作电流Iccstart流过，UVLO模式在VCCUVLO时，即为此种状态，休息模式可以用将EN端电压拉低到2．5V以下。在此时，IC也只有极低的静态工作电流。
3．2 正常模式
一旦VCC超过UVLO电压，IC即进入正常工作模式，此时，栅驱动可以开始工作，Icc最大的工作电流从VCC电压源取得。
IR1167智能同步整流IC可以仿效整流二极管的工作，合适地驱动同步整流用的功率MOSFET。整流电流的方向检测由输入比较器采用MOSF-ET的RDSON作为并联电阻，且据此给出栅驱动输出，内部消隐逻辑用于防止抑制瞬态干扰，保证CCM或DCM或CRM的工作模式(见图3)。在反激式变换电路中，有上述三种电流状态。本文引用地址：//m.amcfsurvey.com/article/178709.htm
3．3 导通阶段
当SR的MOSFET刚开始导通时，电流先经过其体二极管，产生一个负电压VDS，体二极管压降随电流而增大，IC检测此电压，在其超过VT-H2时驱动MOSFET导通，作同步整流，在这一点IR1167驱动MOSFET导通，使VDS降下来，加入一段最小导通时间MOT(minimum on time)，消隐干扰，保持MOSFET导通，因而MOT还限制了初级侧的最大占空比。
3．4 DCM及CRM的关断阶段
一旦SR的MOSFET导通，会一直保持到整流电流减下来使VDS达到阈值VTH1时进入关断，这和导通时工作模式相关。
在DCM中，电流跨过阈值有相对低的di／dt。一旦跨过阈值，电流会再次流入体二极管，又使VDS电压跳向负电平，它取决于电流总量。为防VDS又去触发MOSFET到导通，在VTH2之后加入一段消隐时间tblank，在到达VTH1后。消隐时间由IC内设置。当VDS电压变正进入VTH2时，消隐时间也由IC内设置，当VDS电压变正进入VTH3时，消隐时间终止。IC进入下一周期工作。DCM模式的工作波形见图4。
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