低功耗宽频带LDO线性稳压电路设计
我们基于HHNEC 0.35um BCD 工艺下，采用cadence 和Hspice 仿真软件对整体电路做仿真，如图6 所示为LDO环路稳定性仿真曲线。
（a）负载电流为50mA 仿真曲线
（b）负载电流为0 时仿真曲线
图6LDO环路稳定性仿真曲线
（a） 图为负载电流为50mA 时，LDO 环路增益为50dB、单位增益带宽为470KHZ、相位裕度为74degree。（b）图为负载电流为0 时，LDO 环路增益为63dB、单位增益带宽为1KHZ、相位裕度为87degree。图7 给出了该LDO 的线性调整率曲线，仿真条件为CL=1μF, 由仿真曲线可以看出该LDO 的线性调整率为：
图7 CL=1μF线性调整率曲线
图8 给出了该LDO 的负载调整率曲线，仿真条件为CL=1μF, 由仿真曲线可以看出该LDO 的负载调整率为：
图8 CL=1μF 负载调整率曲线
图9 给出了该LDO 的电源抑制比仿真曲线，仿真条件为IL=1mA。从该曲线可以看出，该LDO 的PSRR 在1KHZ时为- 60dB。
图9 电源抑制比仿真曲线
4 结论
本文提出的这款LDO 线性稳压器，能保证在μF 级别的寄生电容范围内都可以正常工作。
该LDO 的静态电流低至10μA,文中同相放大器的引入，提高了整个LDO 的带宽。从仿真结果可以看出，在负载电流Iload=50mA 时，带宽为470KHz。
该LDO 其它各方面指标都满足设计要求。
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