一种低压高频CMOS电流乘法器的设计
2 电路仿真结果
对图2所示乘法器的性能使用Hspice仿真软件进行仿真验证，其中MOS晶体管模型参数由标准的0．35μmCMOS工艺提供。所有NMOS管和PMOS管的阈值电压分别为0．53～0．69 V。MOS管的宽长比设置如下：M1P～M4P，60μm／0．7μm，MIN～M4N，20μm／0．7μm，MC1～MC4，25μm／0．7μm，M5～M8，25μm／0．7μm。电源电压为±1．18 V。图4显示了电流乘法器电路在输入电流IY在-20～20 μA范围内变化时的直流传输特性曲线。在图4中，从右下到右上的5条曲线分别是输入电流IX为-20μA，-10μA，0μA，10μA和20μA时的输出电流Iout随输入电流IY变化的直流传输特性曲线。本文引用地址：//m.amcfsurvey.com/article/186822.htm
图5显示了提出的乘法器电路的频率响应曲线。在仿真过程中，输入电流IX为正弦信号电流，同时输入电流IY保持为10μA。由图5可以看到，电路的电流标准分贝增益随频率变化，所设计的乘法器电路展示出了良好的频率特性，得到的-3 dB带宽为1．741 GHz，远远超过了文献中提到的(413MHz)。这是由于电路中从输入端到地的寄生电容减小的缘故。整个电路的功耗为1．18mW。
3 结语
本文提出了一种低压高频四象限电流乘法器电路。该乘法器电路的优点是电路结构简单而且对称。电路可以工作在高频条件下(f-3dB= 1．741 GHz)，整个电路的功耗为1．18mW。
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