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基于微带和DGS耦合的谐振器及带通滤波器设计

作者: 时间:2010-08-11 来源:网络 收藏

其结构参数为:a=5.68 mm,b=4.4 mm,L=1.73 mm.d=4.2 mm,e=1.4 mm。介质的相对介电常数εr为9.2,厚度h为1 mm,介质损耗正切角为0.0008;输入阻抗Z0为50 Ω。
串联电容(即MIM电容)由微带线与CPW中心导带得到,并可由C=εS/d计算得出,它较好的替代了常用的、结构稍复杂的叉指电容,从
而使串联电容部分不受制造工艺精度的限制,而且很容易得到相对较大的电容值,从而明显的缩小单元尺寸。并联电感则可由基板下表面CPW中心导带并通过很细的短截线连接到接地面,从而形成的短路短截线可直接影响的中心谐振频率。此方法与传统的实现方法(打孔)相比较,其制作更加简单,损耗小,易于实现;并联电容可由共面波导与地之间的缝隙电容产生。
两段微带线之间存在的缝隙电容可根据数值求解方法及模型的主要参数而求得,其值约为0.03 pF,可见其电容值相当小。初步分析给出的单元结构等效电路如图3所示。

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/187854.htm


图3中,因为Cg为间隙电容,其准确数值与CL相比可以忽略不计,在电路中起的作用相当于隔离电路,主要引导电流流动路径,影响电磁波的传播,其等效电路图在一定频率范围内可进一步等效为图4所示的结构。


其传播常数可由下式得到:


根据Smith的传输矩阵法,可进一步利用S参数得到色散曲线的公式:

其中,p为单元长度,N为级连的单元个数,通过IE3D软件对图2所示的结构进行仿真,再利用公式,所得到的色散曲线如图5所示。



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