驱动LED串的DCM升压转换器简化分析-（实际考虑）
Vc可以从等式(8)获得。
本文引用地址：//m.amcfsurvey.com/article/198516.htm
在热稳定的系统级工作条件下测量了LED动态阻抗、串联PWM晶体管及电流感测电阻参数。VIN= 12 V、Iout= 116 mA为工作参数。测得的开环响应Hc(s)波特图及测量结果如图5所示。表1列出了测得的参数，用于计算图1所示的电路图。
表1. 演示板电路参数
参数
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数值
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备注
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33.1 Ω
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测量值
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Rswitch(Q12)
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1.44 Ω
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测量值
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Rsense(R69)
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1.73 Ω
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测量值
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VOUT
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29.75 V
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测量值
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VIN
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12.0 V
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测量值
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Ri
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0.22 Ω
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Se
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130 mV/µs
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Cout
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1.0 µF
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GRM31CR71H225KA88L进行了直流偏置及温度调节
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rc
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4 mΩ
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Iout
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116 mA
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测量值
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L
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3.3 µH
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MSS5131-332MX
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LED负载
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NSSW157AT
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10颗LED链
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Tsw
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1 µs
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在高频时，理论计算与实证阶段测量值之间的差异变得明显。差异归因于等式(1)的调制传递函数分子中缺少RHPZ项，在参考资料[4]的简化计算中被描述为一项局限。
低频增益理论值与测量结果之前的些微差异(约1 dB)被观察到。升压电感、晶体管及整流器的工作损耗在推导直流工作点的过程中被忽略。如果顾及这样的损耗，占空比直流 工作点将会略大，导致低频增益减少。通过调整 等式(2)中的Vin(减小输入电压以减小电阻损耗)及Vout(增加输出电压以纳入升压二极管电压降)项，就可以观察到这一点。
系统性能
图1中所示的LED调光电路的1000:1 200 HzPWM调光工作波形如图6所示。VC波形上有少许补偿电容电压放电，这是Q9双向开关响应时间与透过D19的PWM钳位激活之间的竞争条件产生的结果。电阻R29被引入，与钳位二极管D19串联连接，以限制补偿网络电荷耗尽。VFB波形维持想要的数字波形及幅值(无模拟调光)。
PWM信号指令转为低态后出现额外短路持续时间GDRV波形(第6个脉冲)，这是NCV887300内部逻辑传播延迟响应时间的结果。此额外脉冲的能量有利于帮助维持输出升压电容中的电荷，因为它补偿了深度PWM调光工作模式期间的某些寄生漏电流能量损耗。
结论
本文第1部分介绍的驱动LED串的DCM升压转换器的理论小信号响应等式在本文第2部分中有效地应用于分析LED PWM调光电路。我们探讨了200 Hz 1000:1深度调光能力的实际层面问题。我们得到了仿真和测量结果，与忽略相位误差的情况进行比较;由于理论表达式中缺少RHPZ项，导致高频时出现相位误差。1000:1 200 Hz PWM工作波形显示出了极佳的工作性能。
参考资料
1. ON Semiconductor NCV887300 Automotive Grade Non-Synchronous Boost Controller Datasheet, www.onsemi.com/PowerSolutions/product.do?id=NCV8873.
2. Nichia Corporation NSSW157AT White LED Datasheet, http://www.nichia.co.jp/en/product/led.html#.
3. C. Basso, “Switch Mode Power Supplies: SPICE Simulations and Practical Designs”, McGraw-Hill 2008, ISBN 978-0-07-150859-9.
C. Basso, A. Laprade, “Simplified Analysis of aDCMBoost Converter Driving an LED String, Part I: Theoretical Analysis”
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