存储器国产化？坚持下去才有希望
编者按：投资没耐心是制约中国半导体发展的重要因素，很多投资人或企业想要三五年就获得回报，很难实现，半导体制造行业投资成功在中国可能需要十年左右的时间，不过抛开主观愿望，中国要想真正建立属于自己的记忆体产业，还需要可靠的知识产权来源与工程技术人才。
3DNAND闪存在全球竞争的态势是工艺制程水平20-40纳米，在成熟工艺范围。除了三星己达256Gb，48层之外，其它对手们几乎都在追赶。随着CVD工艺淀积层数的增多，困难在于高深宽比的付蚀，目前看到在64层时，要达到60：1及70：1的付蚀已经很难。所以这个球己踢给设备供应商，它们要获得订单必须要为客户解决难关。而据来自半导体设备厂的消息，未来128层尚有希望。这样在对手之间的差异性并不很大，因此我们尚有一线成功的希望。
本文引用地址：//m.amcfsurvey.com/article/201607/294068.htm不管如何，现阶段的自行研发一定要加紧突破，32层及48层都是前进中的关键点，而且一定要把研发与量产结合在一起，改变之前两者脱节的弊病。同时要充分利用好设备制造商，它们手中握有许多关键工艺技术，在提供设备的同时与我们分享。
未来它们对付中国的方法可能是首先打IP战，控制技术与人材流失，以及最后一招是打价格战，让中国的企业在财务方面无法承受。因此现阶段对手们是集体的“袖手旁观”，等着看中国出错，最好是让我们知难而退。
对于中国存储器芯片制造项目，一定是场艰难的仗。预计无论是3DNAND闪存，或者是利基型DRAM，首先中国要解决的是从无到有的问题，相信是完全可能的，然而由于采用技术的不同，以及制造成本方面的显著差异，未来可能的痛点是在面临巨额亏损下不动摇，不气馁，只有坚持下去才有成功的希望。在此点上需要决策层面早有充分的预案与准备。
引用麦肯锡亚太区半导体咨询业务负责人唐睿思说，“我一直在强调一个重点，就是要有长期的耐心资本，需等待很长时间才能见效，不是一夜之间就有大突破而更多的是逐年会有进步，执行力更好、有更多业务……在半导体行业成功是没有捷径的!”
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