正确选择闪存写入缓冲区大小，优化擦写速度

图3. 对小地址空间（64"512字节）进行写入操作时，采用不同缓冲区大小与写入时间关系

大容量写入缓冲区的产品优势

再来对比Numonyx公司的M29EW与市场上的同类产品S29GL256P。M29EW具有1024字节的写入缓冲区大小而S29GL256P最大的写入缓冲区为64字节。为了说明问题，这里同时对两种闪存芯片相同大小的地址空间进行擦写操作，如图4所示。测试结果表明，M29EW整体的写入时间是S29GL256P的30%，写入效率远远高于S29GL256P。究其原因很简单，M29EW采用1024字节的写入缓冲区大小，使得其在写入时间相比最高采用64字节写入缓冲区的S29GL256P，优势非常明显。



图4. M29EW与S29GL256P写入速度比较

（均采用产品最大写入缓冲区大小，M29EW是1024字节而S29Gl256P是64字节）

结论

综上所述，我们对Numonyx公司的NOR型闪存M29EW进行了测试分析，并与市场上同类的S29GL系列产品进行了比较。分析结果表明，对于需要经常进行读写操作的电子产品，如移动电子设备，汽车电子设备来说，在设计过程中采用尽可能大的缓冲区大小，提高平均每字节写入速度，是优化提高读写速度的关键，同时也是最简单易行的方法。在执行相同的写入操作时，选用1024字节的写入缓冲区大小，可使写入速度相比使用64字节缓冲区至少提高2.5倍以上。