SiGe晶体管工作频率达500GHz(图)

来自IBM和佐治亚理工大学（Georgia Institute of Technology）的研究人员近日宣布，他们研发的基于SiGe工艺的晶体管工作频率达到500GHz，比现有的手机中所用的晶体管的工作频率快250倍。到目前为止，只有采用昂贵的III-V族混合半导体材料的IC才能达到这种性能。

SiGe异质结双极晶体管工作在 4.5K温度下，该低温是通过液氦冷却获得。在室温下，该晶体管的工作频率为350GHz。测试实验是通过佐治亚理工大学电子设计中心的一个特制的高频测试系统完成的。

位于佐治亚理工大学电子设计中心的低温测试站在封闭装置内的黑色广场就是SiGe芯片

虽然该破记录的速度是在极低温的环境下获得的，但结果仍然表明SiGe器件的性能上限可能超过人们的最初期望。该研究小组的下一步目标是搞清楚这种SiGe晶体管的背后物理原理，为什么在极低温度下会出现如此不寻常的性能表现。如想了解更多信息，请与佐治亚理工大学的John Toon联系，电话：001-404-894-6986，Email：@gatech.edu">jtoon@gatech.edu；或者致电IBM的Glen Brandow，电话：001-914-766-4615，Email：brandow@us.ibm。