芯片竞赛：三星首发3nm，IBM推出2nm，台积电1nm大突破

上世纪的40年代，美国发起了一项曼哈顿计划，这项计划给人类带来了原子弹，也给人类带来了计算机。

而在上世纪50年代，集成电路正式被发明，从此计算机+集成电路，真正带来了整个IT产业的大发展，如今全球的IT产业一年的规模超过10万亿美元。

当然，在整个IT产业的大发展之中，集成电路也可以说是芯片是整个IT产业的基础，没有芯片，就没有IT产业，而芯片在关键又在于制造。所以我们看到，全球芯片大战的关键，最终还是落到芯片制造技术本身。

所以我们看到台积电、三星这两大代工巨头，这几年可以说是在芯片制程上不断前进，你追我赶，然后把intel彻底的甩到了身后。

3月份的时候，三星全球首发了3nm的芯片，这是一颗3nm的 SRAM芯片，容量达到了256GB，但面积只有56平方毫米，采用了GAAFET晶体管工艺。

三星这颗3nm的芯片推出后，很多人表示，这次三星可能要领先于台积电了，因为三星这次确实在技术上似乎领先了，毕竟使用GAAFET工艺，而台积电之前表示3nm芯片还使用FinFET晶体管工艺。

不过没过多久，IBM就搞了一个大新闻，全球首发了一颗2nm工艺的芯片，与三星的3nm芯片一样，采用的是GAAFET晶体管技术。

IBM的这颗芯片，晶体管密度达到了3.33MTr /mm²，也就是3.3亿个每平方毫米。这个密度相比于台积电、三星公布的3nm技术，先进了一大截。

很多认为在这波竞赛中，似乎台积电落后了，毕竟三星3nm芯片首发了，IBM的2nm芯片也有了，台积电还没动静啊。

谁知道，台积电近日也搞出了一个大消息，表示自己取得了1nm以下制程重大突破。

台积电是与台大、美国麻省理工学院合作研究，发现了用二维材料结合「半金属铋（Bi）」能达极低电阻，接近量子极限。

利用这种技术，有助实现半导体1nm以下制程挑战，因为它能够解决二维材料高电阻及低电流等问题。

当然，从实际来看，除了三星的3nm技术是基本靠谱，明年可量产的技术外，像IBM的2nm，还有台积电的这个「半金属铋（Bi）」技术，更多的还是在理论阶段，但这无不表明，芯片战争真的无止境。