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美光确认EUV工艺DRAM 2024年量产:1γ节点导入

作者:时间:2021-08-22来源:ZOL收藏

三星、SK海力士及确定未来会用工艺,其中工艺内存在2024年量产。

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/202108/427721.htm

芯研所8月21日消息,CPU、GPU为代表的逻辑工艺制程进入7nm之后,光刻工艺不可或缺。目前内存停留在10nm工艺级别。三星、SK海力士及也确定未来会用EUV工艺,其中美光的EUV工艺内存在2024年量产。

美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采访中确认,美光已将EUV技术纳入技术蓝图,将由10nm世代中的1γ(gamma)工艺节点开始导入。美光EUV工艺将会先在台中A3厂生产,预计2024年进入量产阶段。

此外,这个1γ工艺要更先进,10nm级别的内存工艺中前三代是1x、1y、1z,再往后是1a、1β、1γ等。在美光之前,三星及SK海力士都更早进入了EUV节点,从去年底就开始部署EUV光刻工艺了,而且比美光更激进,最快在1a工艺节点就会量产EUV内存芯片。



关键词: 美光 EUV DRAM

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