EPC公司的40 V eGaNFET是需要高功率密度的电信、网通和计算解决方案的理想器件

EPC推出了40 V、1.3 mΩ的氮化镓场效应晶体管 （eGaN^®FET），器件型号为EPC2067，专为设计人员而设。EPC2067比MOSFET更小、更高效、更可靠，适用于高性能且空间受限的应用。

宜普电源转换公司（EPC）是增强型硅基氮化镓功率晶体管和集成电路的全球领导者。新推的EPC2067（典型值为 1.3 mΩ、40 V）扩大了可选的低压器件，可立即供货。

EPC2067非常适合需要高功率密度的应用，包括48 V-54 V输入服务器。较低的栅极电荷和零反向恢复损耗可实现1 MHz及更高频率的高频操作、高效并在9.3 mm²的微小占位面积内，实现高功率密度。

EPC公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow 表示：“EPC2067器件专为从40 V-60 V转至12 V的LLC DC/DC转换器的次级侧而设计。与上一代40 V的GaN FET相比，这款40 V器件具有更高的性能和成本效益，从而让设计师可以在更低的成本下，实现更高的效率和功率密度”。

开发板

EPC90138开发板的最大器件电压为40 V、最大输出电流为40 A，配备板载栅极驱动器的半桥器件，采用了EPC2067 eGaN FET。这款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm) 的电路板专为实现最佳开关性能而设计，并包含所有关键元件，让工程师易于评估EPC2067器件。

一个1,000颗的卷盘的EPC2067的单价为2.69美元。