Syndion GP：赋能先进功率器件的未来

最近，智能手机、笔记本电脑、游戏机和其他我们喜欢用的设备所使用的逻辑芯片和存储芯片可能正占据着诸多新闻头条，还有其他一些半导体，虽然并非为大众所熟知，但它们同样无处不在。用于控制或转换电力的功率器件就是个很好的例子。如今功率器件在我们日益数字化的世界中发挥着至关重要的作用，支持从移动设备、空调与电饭煲等家用电器到电动汽车和高铁的一切，而且它们的应用还在迅速增长。

随着这些应用的不断拓展，它们的功能也必须改进，以支持更高电压、更快开关和更高效率。对于芯片制造商而言，先进的功率器件正在加速实现更精确的制造工艺，如高深宽比刻蚀。

过去的功率器件通常在数十伏到几百伏电压之间运行；现在它们需要在更高电压的环境中运行——高达甚至超过1000伏。

现在，这些功率器件需要在不牺牲外形因素的情况下提高功率容量并改进开关性能，这可以通过采用更高深宽比的沟槽来解决。为此，芯片制造商需要极其精确且均匀的深硅刻蚀工艺来创建这些对实现器件性能来说至关重要的沟槽。这些深沟槽的深宽比可以达到60:1甚至更高，并且要求出色的刻蚀均匀性和轮廓。我们不妨这样来比较：世界上最高的建筑之一哈利法塔的深宽比约为9:1，这仅为未来特种技术深硅沟槽深宽比的1/6。

这些器件的精密制造并非易事。泛林集团在刻蚀领域处于领先地位，一直在为这一重要应用以及其他应用开发所需的设备。全新Syndion GP正是基于我们经生产验证的、用于深硅刻蚀的200mm DSiE™和领先的300mm Syndion产品来开发的。

Syndion GP为功率器件和其他器件的一系列应用提供了200mm迁移至300mm桥接解决方案，包括深度、关键尺寸均匀性以及轮廓控制，让芯片制造商能够实现未来的器件需求。