东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块，助力实现尺寸更小，效率更高的工业设备
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后者额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。作为东芝首批具有上述额定电压的产品，它们与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件产品线。
本文引用地址：//m.amcfsurvey.com/article/202201/431168.htm这两种新模块在安装方式上兼容广泛使用的硅（Si）IGBT模块。两种新模块的低损耗特性满足了工业设备对提高效率、减小尺寸的需求，例如用于轨道车辆的转换器和逆变器以及可再生能源发电系统。
■ 应用：
- 用于轨道车辆的逆变器和转换器
- 可再生能源发电系统
- 电机控制设备
- 高频DC-DC转换器
■ 特性：
- 安装方式兼容Si IGBT模块
- 损耗低于Si IGBT模块
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense＝0.9V（典型值）@ID＝600A，Tch＝25℃
Eon＝25mJ（典型值），Eoff＝28mJ（典型值）@VDS＝600V，ID＝600A，Tch＝150℃
MG400V2YMS3
VDS(on)sense＝0.8V（典型值）@ID＝400A，Tch＝25℃
Eon＝28mJ（典型值），Eoff＝27mJ（典型值）@VDS＝900V，ID＝400A，Tch＝150℃
- 内置NTC热敏电阻
■ 主要规格：
（除非另有说明，@Tc＝25℃）
器件型号 |
MG600Q2YMS3 |
MG400V2YMS3 |
||
封装 |
2-153A1A |
|||
绝对最大额定值 |
漏极-源极电压VDSS（V） |
1200 |
1700 |
|
栅极-源极电压VGSS（V） |
+25／-10 |
+25／-10 |
||
漏极电流（直流）ID（A） |
600 |
400 |
||
漏极电流（脉冲）IDP（A） |
1200 |
800 |
||
结温Tch（℃） |
150 |
150 |
||
隔离电压Visol（Vrms） |
4000 |
4000 |
||
电气特性 |
漏极-源极导通电压（感应） VDS(on)sense典型值（V） |
@VGS＝+20V， Tch＝25℃ |
0.9 @ID＝600A |
0.8 @ID＝400A |
源极-漏极导通电压（感应） VSD(on)sense典型值（V） |
@VGS＝+20V， Tch＝25℃ |
0.8 @IS＝600A |
0.8 @IS＝400A |
|
源极-漏极关断电压（感应） VSD(off)sense典型值（V） |
@VGS＝-6V， Tch＝25℃ |
1.6 @IS＝600A |
1.6 @IS＝400A |
|
开通损耗 Eon典型值（mJ） |
@Tch＝150℃ |
25 @VDS＝600V， ID＝600A |
28 @VDS＝900V， ID＝400A |
|
关断损耗 Eoff典型值（mJ） |
@Tch＝150℃ |
28 @VDS＝600V， ID＝600A |
27 @VDS＝900V， ID＝400A |
|
热敏电阻特性 |
额定NTC电阻 R典型值（kΩ） |
5.0 |
5.0 |
|
NTC B值 B典型值（K） |
@TNTC＝25℃-150℃ |
3375 |
3375 |
|
评论