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意法半导体与MACOM成功生产射频硅基氮化镓原型

作者:时间:2022-06-14来源:收藏

 513日,MACOM宣布宣布成功生产射频RF GaN-on-Si)原型。

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/202206/435159.htm


RF GaN-on-Si为5G和6G基础设施提供了巨大潜力。长期存在的射频功率技术横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)主导了早期射频功率放大器(PA)。对于这些射频功率放大器,GaN可以提供比LDMOS更高的射频特性和显着更高的输出功率。


此外,它可以在硅或碳化硅(SiC)芯片上制造。由于高功率应用对SiC晶圆的竞争以及其非主流半导体加工,RF GaN-on-SiC可能会更昂贵。


目前,和MACOM已经开始进一步研究以加快向市场交付先进射频GaN-on-Si产品的速度。


功率晶体管子集团总经理兼执行副总裁EdoardoMerli表示:“我们相信,该技术现在已经达到了性能水平和工艺成熟度,可以有效地挑战现有的LDMOS和GaN-on-SiC,我们可以为包括无线基础设施、商业化在内的大批量应用提供成本和供应链优势,将RF GaN-on-Si产品商业化是我们与MACOM合作的下一个重要里程碑。”


意法半导体和MACOM的合作早有渊源。


2018年2月,MACOM和意法半导体宣布一份硅上氮化镓GaN合作开发协议。意法半导体为MACOM制造硅上氮化镓射频芯片。


2019年3月,MACOM和意法半导体(ST)宣布在2019年扩大ST工厂在150mm的产能,而200mm的依需求扩产。该扩产计划旨在支援全球5G电信网建设,其基于2018年初MACOM和ST所宣布达成的硅基氮化镓协议。


日前,意法半导体发布了2022年第一季度财报。报告期内,公司净营收为35.5亿美元(约合人民币238.68亿元),年增17.6%,毛利率为46.7%,年增770个基点,净利润7.47亿美元(约合人民币50.22亿元),年增105.1%。

 

 

公司表示,Q2有望实现营收37.5亿美元,环比增长5.8%,毛利率约46%。全年营收有望达148亿-153亿美元。




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