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突破电路设计桎梏 32位元MCU功耗再降

作者: 时间:2013-12-04 来源:网络 收藏
待机电流1微安培的规格,代表数位电路漏电+随机存取记忆体(RAM)保持电流+LDO工作电流+降压侦测或重置电路(BOD)工作电流总和必须小于1微安培,对于快闪记忆体、RAM越来越大,及功能越来越多的低功耗MCU设计厂商而言,是十分艰钜的挑战。

  运行、待机和唤醒时间不容忽视

  在系统级要兼顾低功耗及高效能,必须考虑实际应用面的需求,如无线环境感测器可能让MCU主时脉及CPU关闭,只开启低频时脉,定时唤醒周边电路进行侦测;当符合设定条件的事件发生时,快速启动CPU进行处理;即使没有任何事件发生,也必须定时唤醒CPU,维持无线感测器网路的连线。

  在遥控器的应用中,则可能完全将所有时脉源都关闭,当使用者按键时,快速唤醒时脉源及CPU进行处理。另外,许多应用都会加入一个MCU做为主处理器的辅助处理器,用于监控键盘或红外线输入、刷新显示器、控制主处理器电源及智慧电池管理等任务。此时,平均功耗比单纯的运行功耗或待机功耗,更具指标性意义。

  平均功耗由运行功耗和运行时间、静态功耗和待机时间,以及不同运行模式之间的切换时间等主要参数组合而成。兹以图1进行说明。

突破电路设计桎梏 32位元MCU功耗再降

  图1 不同运行时间电流大小的变化

  平均电流(IAVG)=(I1xT1+I2xT2+I3xT3+I4xT4+I5xT5+I6xT6)/(T1+T2+T3+T4+T5+T6)

  因为进入待机模式时间很短,忽略此段时间的电流消耗,公式可以简化为:

  平均电流(IAVG)=(I1xT1+I3x 3+I4xT4+I5xT5+I6xT6)/(T1+T3+T4+T5+T6)

  由以上公式观察到,除了降低运行电流及静态待机电流外,降低运行时间、唤醒时间及高低速运行模式切换时间,亦为降低整机功耗的重要手段。另外,图1同时指出,低功耗MCU支援动态切换运行时脉频率是必要的功能。

  实现低功耗MCU设计 开发商考量须面面俱到

  低功耗MCU设计考量包括制程选择、低功耗/高效能CPU核心、低功耗数位电路、支援多种工作模式、电源系统、丰富的唤醒机制/快速唤醒时间、低功耗类比周边与记忆体等,以下将进一步说明之。

  制程选择至关重要

  为了达到低功耗的运作,并能有效地在低耗电待机模式下,达到极低的待机功耗,制程的选择极为重要。在不强调速度极致的某些制程分类,选择极低元件截止电流制程(图2)进行逻辑闸制作,并进行数位设计是方法之一。

突破电路设计桎梏 32位元MCU功耗再降

  图2 不同制程元件截止和晶片待机电流变化

  选择这种策略的额外效益是,通常也能降低动态操作电流,达到较佳的表现。另外,由于高温大幅增加静态电流,当温度由摄氏25度增加到摄氏85度时,一个典型比例约增加十倍的静态电流。以非低功耗0.18微米制程,开发逻辑阀门数200K、4KB SRAM的MCU为例,在核心电压1.8伏特、摄氏25度的静态耗电约为5?10微安培;当温度升高到摄氏85度时,静待电流将会飙高到50~100微安培;而若采用低功耗制程,在摄氏85度时,静态电流仅约10微安培。



关键词:电路设计32位元MCU功耗

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