基于LM2596的不间断直流电源设计方案(一)

　　电路原理如图4所示。该恒流源电路由运放LM324、场效应管IRF640、采样电阻R3、负载电阻RL 等组成。

　　电路采用大功率场效应管IRF640 作为调整管，该管为N 沟道增强型MOS 管，该管工作电压最高可达100 V，饱和漏极电流可达28 A，功耗约为150 W.当场效应管工作于饱和区时，漏极电流Id 近似为电压Ugs 控制的电流。即当Ud 为常数时，满足：Id = f （Ugs） ，只要Ugs不变，Id 就不变。

　　在此电路中，R2 为康铜丝材料的取样电阻（阻值随温度的变化小）。OP07作为电压跟随器，有U+ = U - = Us，由于栅极电流可忽略不计，因此Id = Is = I2 = Us R2 =U+ R2.正因为Id = U+ R2，电路输入电压U+ 控制电流Id，即Id 不随RL 的变化而变化，从而实现压控恒流。图4中参数充电电流为200 mA.若要改变充电电流，只需调整R2 即可。