车用TPMS传感器技术的解析
图3 压力、加速度与ASIC/MCU组合封装在一个包装内
图4 压力/温度导入孔
图5 硅压阻式压力传感器结构
图6 加速度传感器平面结构图
图7 加速度传感器切面结构图
同样,加速度传感器也是用MEMS技术制作的,图6是MEMS加速度传感器平面结构图,图7是加速度传感器切面结构图,图中间是一块用MEMS技术制作的、可随运动力而上下可自由摆动的硅岛质量块,在其与周边固置硅连接的硅梁上刻制有一应变片,与另外三个刻制在固置硅上的应变片组成一个惠斯顿测量电桥,只要质量块随加速度力摆动,惠斯顿测量电桥的平衡即被破坏,惠斯顿测量电桥就输出一个与力大小成线性的变化电压△V。
压力传感器、加速度传感器、ASIC/MCU是三个分别独立的裸芯片,它们通过芯片的集成厂商整合在一个封装的单元里,如图8美国GE公司NPX2,图9是去掉封装材料后能清晰地看到这三个裸芯片,三个芯片之间的联接、匹配也都做在其中了。
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