DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

DS1265W8Mb非易失(NV)SRAM为8,388,608位、全静态NVSRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NVSRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

　关键特性

　　在没有外部电源时下最少可以保存数据10年

　　掉电期间数据被自动保护

　　没有写次数限制

　　低功耗CMOS操作

　　100ns的读写存取时间

　　第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态

　　可选的-40°C至+85°C工业级(IND)温度范围

　　通过美国保险商实验室协会(UL)认证