开槽波导3次谐波回旋行波放大管非线性理论与数
方程(15)~(18)为自洽非线性注波互作用方程组.将电子注离散为NT个宏电子,则一共有6NT+2个一阶非线性微分方程,结合边界条件(19)、(20),利用四阶龙格库塔法对注波互作用进行数值计算,计算结果在下部分内容中给出并讨论.
四、结果与讨论
表1给出了互作用电路参数,各图表曲线相关参数见相应图表标注.图3给出了驱动功率为20W情况下,效率与电子速度比值α的关系.图中B0、Bg分别为直流磁场和共振点磁场,ω为高频场频率,ωc为波导截止频率.由于在回旋行波管中波的能量取自于电子的横向能,又由于当α值增大,电子的横向能量以及回旋半径也随着增大,因此互作用效率也就随着α增大而增大.但当α增大到一定值后,注波互作用达到饱和,同时由于电子注回旋半径过大,电子在波导壁上产生截获,这样互作用效率又随α值增大而减小.
表1 数值模拟参数与结果
内半径 | 1.024mm |
外半径 | 1.465mm |
电路长度 | 87.9mm |
注电压 | 60kV |
注电流 | 6A |
α | 1.3 |
直流磁场 | 11.674kG |
高频场模式 | π |
谐波次数 | 3 |
工作频率 | 95.08GHz |
模拟结果 | |
饱和效率 | 22.8% |
饱和输出功率 | 82kW |
饱和增益 | 36.15dB |
图3 效率与电子注速度比值α的关系(s=3,πmode,I=6A,V=60kV,ω/ωc=1.032, 图4所示为饱和效率、饱和增益与B0/Bg值之间的关系,虚线为饱和增益曲线.图中γz为纵向速度分量的相对论因子.图示表明,一方面,降低B0/Bg值,有助于提高饱和互作用效率,但B0/Bg值不能太低,否则失谐加重,注波互作用难以达到同步,饱和效率便会迅速降低;另一方面,增加B0/Bg的值却有利于提高饱和增益.总的来说,磁场失谐率的选择应在效率和增益之间作优化折衷. 图4 饱和效率及增益与B0/Bg值的关系(s=3,π mode,I=6A,V=60kV,ω/ωc=γz, 图5所示电流分别为3A、6A和9A情况下(a)饱和效率、(b)饱和增益随频率变化的关系.可以看出饱和效率、饱和增益以及饱和带宽都随电流的增长而有所增加.在6A和图示情况下,饱和带宽为7%,电流为3A增大到9A时,饱和带宽从4.6%增大到8.3%. |
图5 不同电流下,(a)饱和效率(b)饱和增益随频率变化的关系(s=3,π mode,V=60kV,α=1.3,B0/Bg=0.99) 图6所示为几个不同磁场失谐率下饱和增益以及饱和效率随频率变化的关系.由图可见,磁场失谐率对饱和增益、饱和效率及饱和带宽都有较大影响,B0/Bg值的提高有利于饱和增益及饱和带宽的提高,但饱和效率却有所降低.在图示条件下,当B0/Bg值从0.983增大到0.998时,饱和带宽从4.8%增大到9.3%. |
图6 不同磁场失谐率下,(a)饱和增益及(b)饱和效率随频率变化的关系(s=3,π mode,I=6A,V=60kV,α=1.3) 图7为在不同磁场失谐率下饱和效率随谐波次数的变化关系.由图表明,饱和效率随谐波次数的增大而降低,B0/Bg值越低,谐波次数对饱和效率的影响越大. |
图7 饱和效率随谐波次数的变化关系(π mode,I=6A,V=60kV,α=1.3,ω/ωc=γz,rL/a=0.7) 图8所示为不同谐波次数下饱和效率随频率的变化关系.图示表明谐波次数对饱和带宽有较大影响.在图示条件下,谐波次数从2增大到4时,饱和带宽从10.3%减小到5.7%. |
图8 不同谐波次数下饱和效率随频率的变化关系(π mode,I=6A,V=60kV,α=1.3,B0/Bg=0.99,ω/ωc=γz,rL/a=0.7) 五、结束语 |
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