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Flash单片机自编程技术的探讨

作者: 时间:2013-10-16 来源:网络 收藏
Flash的可自编程性(Self-Programmability)是指,用Flash存储器中的驻留软件或程序对Flash存储器进行擦除/编程,但是,要求运行程序代码的存储区与待编程的存储区不在同一模块中。因此,只有一个片上Flash存储器模块的微处理器,是不能在进行擦除/编程Flash操作的同时执行程序的。目前,有两种途径可以解决:①在擦除/编程Flash的过程中,将CPU置于空闲状态;②将擦除/编程Flash的指令复制到RAM,再由CPU来执行。

TI公司的系列Flash型单片机内部集成有Flash控制器,可以采用外部编程器进行烧写,也可以利用自己的程序修改Flash的内容,且不用外加编程电压。在进行系统设计时,可以利用片内的Flash保存一些运行数据,实现掉电保护;还可以修改Flash中的整个程序或局部程序,实现在系统升级。

本文以TI公司的系列Flash型芯片为例,对如何进行Flash的自编程操作做进一步的探讨。

1芯片Flash存储器的结构

Flash存储器模块是一个可独立操作的物理存储器单元。全部模块安排在同一个线性地址空间中,一个模块又可以分为多个段。当对Flash存储器段中的某一位编程时,就必须对整个段擦除,因此,Flash存储器必须分为较小的段,以方便地实现擦除和编程。图1是MSP430芯片上Flash存储器模块的结构框图。该Flash存储器模块包含如下部分:

  • 控制逻辑——控制Flash擦除和编程时的机器状态和时序发生器;
  • Flash保护逻辑——避免意外的Flash擦除和编程操作;
  • 编程电压发生器——提供Flash擦除和编程所需全部电压的集成电荷泵;
  • 3个16位控制寄存器——FCTL1、FCTL2、FCTL3控制Flash模块的全部操作;
  • 存储器本身。

    2 Flash存储器的擦除和编程操作

    通常CPU访问Flash是为了读取数据或者是执行程序,这时数据、地址锁存器是透明的,时序发生器和电压发生器关闭。然而,我们有时候需要在程序执行的过程中对Flash的内容进行修改,这时就需要对控制寄存器FCTLx进行适当的设置,以保证擦除/编程操作的正确执行。当进行擦除/编程操作时,Flash模块中的时序发生器将产生全部内部控制信号,控制全部执行过程。这时CPU是不能访问Flash的,因此所要执行的程序指令必须从别的地方调用,如RAM,或者将CPU置于空闲状态。当Flash的编程结束后,CPU才能重新获得对Flash的控制权。   MSP430系列芯片中只集成了一个Flash模块用作程序和数据存储器。这就意味着在对Flash进行编程时,中断向量是不起作用的,任何中断请求都得不到响应。所有可能的中断源(包括看门狗)在对Flash进行擦除/编程操作前,都应该被屏蔽掉,如程序1所示。

    程序1:禁止所有中断和Watchdog
    DINT ;禁止所有可屏蔽中断
    CLR.B IE1 ;禁止NMI、ACCV和OF中断
    MOV #5A80H, WDTCTL ;关闭片内看门狗


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