用C语言编程操作SPMC75内部Flash的方法
支持C语言几乎是所有微控制器程序设计的一项基本要求,当然SPMC75系列单片机也不例外。μ'nSPTM 指令结构的设计就着重考虑对C语言的支持,GCC就是一种针对μ'nSPTM 操作平台的ANSI-C编译器。但是在应用中对于程序的设计,特别是C和ASM混合使用的时候有些地方是需要注意的,在C中如何嵌入ASM也是一个不可回避的问题。
2SPMC75单片机FLASH硬件资源分析
SPMC75系列微控制器Flash分为两区:信息区和通用区,在同一时间只能访问其中的一区。信息区包含64个字,寻址空间为0x8000 ~ 0x803F。地址0x8000为系统选项寄存器P_System_Option。其他地址空间可由用户自定义重要信息比如:版本控制、日期、版权、项目名称等等。信息区的内容只有在仿真或烧录的状态下才能改变。
32k字的内嵌Flash(embedded Flash)被划分为16个页,每页2K字,每页可分为8块,这样32K的Flash就可以分成128个块。只有位于00F000 ~00F7FF区域的页在自由运行模式下可以设置为只读或可读可写,其他页均为只读。SPMC75系列微控制器的32K字的内嵌式闪存结构入下图2-1和图2-2。
图2-1信息区结构 图2-2页和帧结构
2.1 FLASH操作
◆ FLASH相关寄存器
Flash有两个控制寄存器:P_Flash_RW ($704D)和P_Flash_Cmd ($7555).。
P_Flash_RW ($704D)是Flash访问控制接口,用连续两次写操作进行设置,这样避免误写入。首先向该寄存器写入$5a5a,然后在16个CPU时钟周期内再向该寄存器写入设置字。
表 2-1 Flash寄存器和系统寄存器
地址 |
寄存器 |
名称 |
704Dh |
P_Flash_RW |
内嵌 Flash 的访问控制寄存器 |
7555h |
P_Flash_Cmd |
内嵌 Flash 的控制寄存器 |
P_Flash_RW ($704D):内嵌的Flash访问控制寄存器
P_Flash_RW ($704D)是Flash访问控制接口,用连续两次写操作进行设置,这样避免误写入:首先向该寄存器写入$5a5a,然后在16个CPU时钟周期内再向该寄存器写入设置字。
B15 |
B14 |
B13 |
B12 |
B11 |
B10 |
B9 |
B8 |
R |
R/W |
R |
R |
R |
R |
R |
R |
1 |
0 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
保留 |
BK14WENB |
BK13WENB |
BK12WENB |
BK11WENB |
BK10WENB |
BK9WENB |
BK8WENB |
B7 |
B6 |
B5 |
B4 |
B3 |
B2 |
B1 |
B0 |
R |
R |
R |
R |
R |
R |
R |
R |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
1 |
BK7WENB |
BK6WENB |
BK5WENB |
BK4WENB |
BK3WENB |
BK2WENB |
BK1WENB |
BK0WENB |
用控制寄存器将页设置内嵌FLASH为只读或可读可写模式。
类型 (默认 ) |
页 |
块 |
描述 |
|
B[15] |
保留 |
|||
B[14] |
R/W (0) |
Bank 14 |
Frame 112~119 |
F000h-F7FFh 访问控制 1= 只读 0= 读 / 写 |
B[13:0] |
保留 |
P_Flash_Cmd ($7555):内嵌的Flash访问控制寄存器
用于处理Flash的指令,见表2-3
B15 |
B14 |
B13 |
B12 |
B11 |
B10 |
B9 |
B8 |
W |
W |
W |
W |
W |
W |
W |
W |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
FlashCtrl |
B7 |
B6 |
B5 |
B4 |
B3 |
B2 |
B1 |
B0 |
W |
W |
W |
W |
W |
W |
W |
W |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
FlashCtrl |
表 2-2 指令功能和操作流程
块擦除 |
单字写模式 |
连续多字写模式 |
|
第一步 |
P_Flash_CMD =0xAAAA |
||
第二步 |
[ P_Flash_CMD ] =0x5511 |
[ P_Flash_CMD ] =0x5533 |
[ P_Flash_CMD ] =0x5544 |
第三步 |
设置擦除地址 |
写数据 |
写数据 |
第四步 |
自动等待 20ms 后结束 |
自动等待 40us 后结束 |
自动等待 40us |
未写完则转向第二步 |
|||
[ P_Flash_CMD ]=0xFFFFà 操作结束令 |
2.2 FLASH操作使用举例
◆Flash块擦除操作
//擦除Flash的第14页的第0块 |
◆ Flash单字写操作
//擦除Flash的第14页的第0块 |
Flash的特点是编程数据写入时只能将1变成0,不能从0变成1。因此,用户在对Flash编程之前,必须首先执行Flash块擦除或者页擦除命令,这样就可以将数据从0"擦除"为1。
◆ Flash连续写操作
采用连续编程模式向Flash的0xF000 到 0xF060地址空间连续写入数据。
// 写数据到 0xF001~0xF060的连续单元中,设这段空间已经擦//除过。 |
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