IR推出新一代150V及200V功率MOSFET器件通态电阻降低高达56%
若在典型的150W正激转换器应用中,以IR新一代SO-8 IRF7492或IRF7494取代业界标准SO-8器件,效率可提升0.5%,这将导致器件结温降低15°C至20°C。
新MOSFET是专为正激或推挽式功率转换器拓朴中的原边开关应用而设计,适用于电信及网络系统中的板上型功率模块。
IR中国及香港销售总监严国富表示:“MOSFET的主要参数包括器件通态电阻和栅电荷。这些参数对电路整体性能具有一阶效应。全新IRF7492和IRF7494器件以IR最新沟槽技术制成,有助减低传导和开关损耗,提升整体效率。”
IRF7492及IRF7494具有低通态电阻 (RDS(on)) 和栅电荷,最适用于高达500kHz的直流-直流转换器开关应用系统,栅电压最高达20V。新MOSFET还具有低栅阻抗,能将开关损耗降至前所未有的水平。
全新IRF7492及IRF7494 HEXFET MOSFET已有供应。数据册详载于IR网页www.irf.com,基本规格如下:
产品型号 封装 VDSS VGS=10V下RDS(on)最大值 典型Qg值 典型Qgd值
IRF7494 SO-8 150V 44mOhm 36nC 13nC
IRF7492 SO-8 200V 75mOhm 38nC 16nC
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