解决智能手机EMI干扰问题
在静电放电防护方面，该系列产品中的瞬态电压抑制器具有极低的钳位电压(Vclamp)。当静电放电事件发生时，瞬态电压抑制器的钳位电压越低，则越能适时导通可观的静电放电电流，以避免受保护电路遭到静电放电侵害而造成永久受损失效。图2所示即为利用传输线脉冲产生系统(TLP系统)测量到的钳位电压比较图表。在图表中可以清楚看到，晶焱科技所开发的电磁干扰滤波器在17A的大静电放电电流下，其钳位电压远低于相似产品，因此可以非常有效地为受保护电路提供一个快速有效的静电放电旁路。
抗静电防护效果高达15kV以上(IEC 61000-4-2 ±15kV接触放电模式)。根据IEC 61000-4-2标准制定的规格，第四级防护至少需要提供8kV接触放电模式和15kV空气放电模式的静电放电防护能力。该系列产品提供了15kV以上接触放电模式的静电放电防护能力，明显超出了IEC 61000-4-2标准中第四级所规定的需求数值。
由于智能手机需要依靠电池来提供所需电能，所以在器件正常使用时漏电流越大，则电池供电的时间就将越短。图3所示为晶焱科技推出的电磁干扰滤波器新产品和相似产品的漏电流比较图。由图中两条曲线的比较可知，晶焱科技的电磁干扰滤波器新产品，其漏电流比相似产品更小，因此可以增加智能手机电池的可持续使用时长。
在封装方面，晶焱科技的电磁干扰滤波器产品在双排扁平无引脚(DFN)封装形式方面采用了0.4mm或0.5mm的引脚间距，在CSP形式方面则采用了0.4mm的引脚间距。因此，在进行系统设计时，可以有效缩减电磁干扰滤波器所需占用的电路板面积，而方便其它电路元器件的放置和设计。
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