DSP自动加载过程及程序烧写的简化设计

　　上电或复位完成后，DMA按默认时序从CE1地址复制64 KB到零起始地址处，加载完成后，DSP从零地址开始执行。本文中断向量表从程序空间0地址开始存放，每个中断向量8个字节，总计大小为0x200字节。加载完成后程序从0地址开始执行，直接跳转到DSP主程序入口～c_int 00处。

　　3烧写程序设计

　　应用程序编写完成后，需要将程序烧写到程序存储器中。程序烧写主要有以下几种方法：

　　①采用通用烧写器进行烧写;

　　②使用CCS中自带FlashBurn工具烧写;

　　③用户自己编写烧写程序，由DSP将加载到片上的应用程序烧写到程序存储器中。

　　使用通用烧写器烧写时，需要程序存储器为可插拔的，这样给设计带来不便。FlashBurn支持的存储器种类有限，对于使用国产存储器芯片的场合不一定合适，另外FlashBurn不能识别目标文件，需要将目标文件转换为二进制文件后才可烧写。

　　采用用户自己编写烧写程序的方法较为灵活。具体方法为：单独建立一个烧写工程文件，烧写时，先把应用程序工程编译生成的目标文件加载到目标DSP电路的RAM中，再把烧写工程文件生成的目标文件加载到目标DSP电路RAM的另一个地址空间中，运行main函数后执行烧写程序直到烧写完成。这种烧写方法可以避免两次加载可能造成的覆盖，防止第二次加载时修改第一次加载的内容。

　　3.1烧写程序的。cmd文件和中断向量表设计

　　烧写程序的。cmd文件与用户应用程序的。cmd文件相同，但程序地址分配空间须严格区分开来。本文将用户程序地址空间安排在从0开始的0xB400空间内，烧写程序安排在从0xC000开始的0x3400空间内。烧写程序。cmd文件地址空间分配如下：

　　MEMORY{

　　VECS：o=0000C000h l=00000400h

　　PMEM：o=0000C400h l=00003000h

　　}

　　如果需要优化程序空间，可以通过编译生成的。map文件得到用户程序和烧写程序实际占用的空间，通过修改，。cmd文件进一步优化。

　　烧写程序没有中断，可以只保留_c_int00，简单起见，也可以采用与应用程序完全相同的中断向量表。

　　3.2烧写程序设计

　　在设计烧写程序前，需要充分了解程序存储芯片的操作过程。本文使用的FLASH芯片AM29LV160的操作码，有写操作、读操作、芯片擦除、块擦除、锁定等十余种操作。FLASH芯片在写操作前需要先进行擦除操作。烧写程序如下：

　　烧写程序设计和烧写操作中有以下几点需要注意：

　　①烧写时，一定要先把应用程序目标文件加载到RAM中，再把烧写程序目标文件加载到RAM中，然后运行main函数执行烧写。

　　②程序中FLASH_ADDRS为自动加载前程序存储的FLASH芯片地址，本文为0X01000000;RAM_ADDRS为加载后程序存储的地址，本文为外部SRAM芯片地址0x00000000.

　　③进行FLASH芯片操作前需对EMIF进行初始化，程序中my_EmifCog为7个32位二进制数组成的数组，分别配置GBLCTL、CECTL0、CECTL1、CECTL2、CECTL3、SDCTL和SDTIM这7个控制寄存器。本文中CE0接外部32位SRAM芯片，CE2接8位FLASH芯片，分别设置CECTL0为0xFFFF3F23、CECTL1为0xFFFF3F03，其他控制寄存器需要根据应用情况来确定。

　　④FLASH芯片可整片擦除，也可块擦除，需擦除完成后才能对FLASH芯片进行写操作。FLASH芯片擦除时间较长，需要在擦除子程序后设置断点，等待擦除完成(可以CCS中查看0x01000000起始的FLASH空间全为0xFF为参考)后，再进行程序烧写操作。

　　⑤程序中PRO_LEN为用户程序长度，为用户应用程序，。cmd文件设置中断向量、程序等分配的总长度，本文为0xB400.

　　⑥程序加载到的外部SRAM为32位，FLASH芯片为8位，LENDIAN为高电平。烧写程序从SRAM中读取的程序为32位，32位数据需要按照从低到高的顺序烧写到8位FLASH芯片中。

　　结语

　　实际工程应用验证了上述烧写及自动加载方法的可行性。本文所述的加载过程比二次加载节省了DSP系统启动时间，但因加载过程中FLASH芯片读写等待时间为默认设置，用户不能更改，程序加载时间仍达120 ms，在某些看门狗时间较短的应用中需要特别考虑。本文的程序烧写方法还可以推广应用于其他的DSP系统中。