瑞萨05财年营业利润预计减少6成

日本瑞萨科技日前公布了2004财年（2004年4月～2005年3月）联合结算报告概要。销售额为1.0024万亿日元（比财年增长2%），营业利润达510亿日元（同比增长14%），税前利润为324亿日元（同比增长218%），纯利润为199亿日元（同比增长131%）。虽说实现了增收增益，但未达到财年初期预测的数值（预测销售额为1.09万亿日元，营业利润为600亿日元）。由于该公司没有上市，因此依据上市企业会计标准进行核算的详细业绩没有公布。


1Gbit闪存推迟半年才投入量产


　　尽管包括公司主力产品微控制器在内的“通用产品业务”实现了盈利，但负责专用产品的“系统解决方案业务”和“内存业务”则出现了亏损。用于手机的液晶驱动IC和应用处理器，向高附加值产品的过渡并不顺利，未达到公司当初的预期。据称在本财年下半期，有多家客户取消了预定单。


　　闪存EEPROM业务也存在着一定的问题，“由于采用AG-AND方式的1Gbit产品的成品率低于当初的预期，被迫推迟半年后才投入量产”（瑞萨科技社长兼首席执行官伊藤 达）。因此，该产品的出货量低于当初的预测。而单价却“在2004财年里下跌了一半左右”（伊藤）。


　　该公司表示，这些导致公司业绩变坏的因素在2005财年里基本仍将持续下去。“此前我们预测半导体市场将在2006财年开始出现下降趋势。现在看来提前了一年。眼下的形势非常严峻”（伊藤）。尽管削减生产成本的努力仍将继续，但2005财年的联合业绩预计将会减收减益。销售额和营业利润预计分别为9700亿日元（比上财年减少3%）和200亿日元（同比减少61%）。


90nm工艺闪存05下半财年投入量产


　　在按金额计算占据全球市场份额2成多的微控制器方面，将通过增加配备闪存EEPROM的高附加值产品的销售，维持稳定的收益。与此同时，“由于2005财年韩国与欧洲将稳步推进手机液晶面板由STN方式向TFT方式的过渡”（伊藤），所以江争取进一步扩大液晶驱动IC的业务规模。在闪存EEPROM方面，计划2005财年下半期投产4Gbit产品。“作为AG-AND方式的首个产品，尽管1Gbit产品在量产之初遭遇了一些困难，但我想可以吸取其中的经验，使4Gbit产品顺利地量产”（伊藤）。


　　2005财年的设备投资约为800亿日元。其中约300亿日元将用于加强采用300mm晶圆的半导体生产体制。该公司在那珂第二工厂的“N3厂房”，正在使用300mm晶圆量产半导体。目前已经将N3厂房的二层楼房（1万2000m3）扩充成130nm工艺闪存EEPROM和SoC（系统级芯片）的生产车间。通过对N3厂房的追加投资，在空闲的一层楼房（1万2000m3）里安装生产设备。另外，2005财年下半期还将投产90nm工艺闪存EEPROM。这样一来， N3厂房300mm晶圆的处理能力将提高至每月1万4000枚。按计划，2006财年上半期将在SoC中采用90nm工艺，2006年下半期将在闪存EEPROM中开始65nm工艺的量产。