根据国外媒体报导，NAND闪存市场上的竞争业者，包括Hynix、IM Flash与Toshiba等，最近都悄悄增加产量，并且准备推出45nm以下的产品。这个领域的供货商不但在程序技术上激烈竞争，也在准备因应市场上新的需求与产品的周期。市面上逐渐出现需要NAND的新应用，例如flash BIOS、solid-state storage与具备DVR功能，采用闪存的电视机。NAND业者最近动作频仍，市场领导供货商Samsung Electronics展示了一款30-nm NAND组件，第二大供货商 Toshiba在日本的新晶圆厂即将投入生产，该公司一方面在开发43-nm NAND产品线，另一方面也在开发3-bit-per-cell的技术。全球第三大供货商Hynix Semiconductor，计划将第三季的位产量增加一倍。
另外，IM Flash Technologies增加在犹他州十二寸晶圆厂的产量，该公司已在生产50-nm组件，并在开发40-nm以下的产品。由于Samsung在本月初发生停电导致停产的事件，其它NAND供货商都希望能够从中获利。其实，市场调研公司认为停电事件对于Samsung与其它竞争者而言也许都是好事，因为它减少了供货，有助于价位的上扬。DRAMexchange的数据显示，NAND组件的和约价格，在八月上半上升了15%至20%。
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