DRAM和NAND闪存价格上涨幅度开始回落

闪存的合约价格在7月下半月继续上涨，不过目前涨势已经逐渐减缓。DRAM厂商预计第三季度价格将轻微上涨，同时出货量也大幅提升了。同时，NAND目前价格也呈现上升趋势，这主要得益于闪存应用范围的不断拓展。
DRAM报价一片涨声

　　根据内存交易机构DRAMeXchange（集邦电子）的数据，在7月上半月，512Mb DDR2芯片的合约价格上涨了20%以上，不过7月下半月的上涨幅度回落到了3%。

　　DRAMeXchange表示，目前一些PC OEM厂商向DRAM厂商索要报价的次数从两次减到了一次，因此在上半月提升了报价之后，下半月的涨幅开始变小。

　　此外，DRAMeXchange估计在10月和11月的旺季，PC的出货量将会大涨，同时全年的增长率将达到12%，而市场调研机构iSuppli估计，2007年全球PC的出货量年增长率为11.2%，和先前预计的数据基本符合。笔记本将会成为重要的推动力，同时台式机的增长也相当可观，同时每台计算机所搭载的内存容量也在增加。

　　供应端方面，在2007年剩下的时间里出产将会逐渐增加，之前只有海力士半导体（Hynix Semiconductor）产能从DRAM转到了NAND。某些分销商和模组产商在6月之前囤积了大量的DRAM，希望在市场状况好转之后再进行出售，以补回第二季度时的损失。某些DRAM生产商也在增加库存量，DRAMeXchange指出，这些都是影响内存价格上涨的潜在因素，该机构估计，2007年下半年，512Mb和1Gb DDR2的价格将会分别稳定在2.20~2.50美元和4.50~5.00美元。

　　三星电子（Samsung Electronics）刚刚宣布了第二季度的运营表现，预计在第三季度DRAM的平均售价（ASPs）将会增长20%，2007年内出货的计算机内存搭载容量将超过1.4GB。尔必达内存（Elpida Memory）估计DRAM的平均售价将会在2.5美元左右，某些DRAM生产商已经减少了资本支出，而转入80/70nm制程并不顺利，同时PC OEM厂商计划让50%的出货量搭载2GB的内存。

NAND闪存需求前途光明

　　根据DRAMeXchange的数据，MLC（多级单元，Multi-Level Cell）芯片引领着NAND闪存的价格持续上涨，不过和DRAM非常相似，其上涨势头也在减弱。

　　DRAMeXchange指出，低容量SLC（单级单元，Single-Level Cell ）芯片的短缺是过去的三个月NAND价格快速上涨的主要原因，而最近价格的上涨则是因为60/50nm制程转换不顺而导致产出减少，而且某些芯片厂商在短期内还无法恢复先前的产量。

　　苹果（ Apple）刚刚公布了财政报告，iPhone的销售数据要低于预期，DRAMeXchange认为，iPod和iPhone对NAND闪存的需求使得非苹果客户遭受了压制，这也促使NAND的价格上涨——苹果目前在2008年售出1000万台iPhone。

　　三星作为苹果的主要芯片供应商之一，在推出容量为1GB~8GB的新型NAND闪存产品之后，重新修订全年NAND闪存出货量位增长（bit growth）率，从先前的110%提升到了130%，可用于音乐手机和32/64GB的SSD（Solid-state-Drives）。