安森美发布超低电容ESD保护器件ESD9L

电源管理和电路保护半导体解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)推出新的超低电容静电放电(ESD)保护器件系列的首款产品。新的ESD9L是一款单线ESD保护器件，提供0.5皮法(pF)电容和低钳位电压。这元件采用适合ESD保护应用的最小封装，非常适用于手机、MP3播放器、个人数字助理(PDA)和数码相机等便携应用的高速数据线路保护。

随着更新的集成电路技术使用的几何尺寸越来越小和工作电压越来越低，不断更新换代的便携产品对ESD电压损伤也越趋敏感。与此同时，便携电子系统也要求电容更低，以维持其高速数据线路应用的信号完整性。基于硅瞬态电压抑制(TVS)二极管的传统片外保护解决方案提供低钳位电压和快响应时间，但它们的大电容限制了其在高速应用中的使用。聚合物和陶瓷压敏电阻等竞争性片外保护技术提供低电容，但它们的高ESD钳位电压限制了其保护极敏感IC免受ESD损伤的能力。

为了克服传统硅TVS二极管的局限，安森美半导体使用突破性的工艺技术，将超低电容PIN二极管和大功率TVS二极管集成在单个裸片上，能够用作高性能片外ESD保护解决方案。这新的集成型ESD保护技术平台既保留了传统硅TVS二极管技术的卓越钳位和低泄漏性能，又将电容从50pF大幅降低至0.5pF。0.5pF的总电容使ESD9L适用于USB2.0高速(480Mbps)和高清多媒体接口(HDMI)(1.65Gbps)等高速应用。根据IEC61000-4-2的标准，ESD9L将输入的15千伏ESD波形在数以纳秒(ns)内迅速钳位至不到7伏(V)。

安森美半导体的集成型ESD保护平台使用专有的设计技术，在提高钳位性能的同时，维持了极小的裸片尺寸，使其能够适合尺寸仅为1.0mm