Spansion 1Gb闪存满足高容量数据存储需求

　由AMD和富士通公司共同投资的闪存公司Spansion LLC最近展示了基于90nm MirrorBit技术的单芯片1Gb GL NOR闪存，并验证了1Gb ORNAND闪存的工作芯片。

　　Spansion在其位于得克萨斯州奥斯汀的旗舰制造基地Fab 25所生产的Spansion 90nm MirrorBit技术的产品，为引人关注的高容量闪存开发计划奠定了基础。该项计划旨在开发多款满足无线和嵌入式应用，将所需容量、性能、可靠性和成本结构集于一身的闪存产品。

　　Spansion公司总裁兼首席执行官 Bertrand Cambou表示：“很多客户都希望利用NOR架构来存储执行代码，因为它具有很高的可靠性、读取性能和易用性。利用我们的NOR和ORNAND架构，通过在90nm技术的基础上将MirrorBit技术扩展到更高的容量。”

　　在Spansion公司Fab 25所举办的活动上，该公司现场展示了一款基于90nm MirrorBit 技术，在无线手持设备应用中用作数据存储的1Gb ORNAND设备。Spansion代表用一个有存储代码的Spansion NOR闪存和存储数据的1Gb MirrorBit ORNAND芯片的手机参考设计，演示了照相、摄像、音乐和视频播放等多媒体功能。 此次展示证明了Spansion公司产品具有较好的读取性能，可以大大加快电话启动和视频播放的速度，以及对于一台以每秒录入15帧的QVGA摄像机(320