小小的电源开关可如何拯救世界(08-100)

　　绝缘栅极双极型晶体管 (IGBT) 虽然包含了两个元件而非一个，却没有因此而更复杂。

　　图3 右边的符号图简单阐明了双极型晶体管是如何被MOSFET所驱动，左图给出了采用硅技术实现时该器件的垂直结构

　　由于MOSFET的开关频率可以更高 (因此电感更小)，故那些需要相对较低电流和快速开关工作或I-V线性特性的应用产品通常都采用MOSFET来构建，而那些功率较高的、并且需要更大增益和更大电流及中速开关工作的应用一般采用IGBT来构建。IGBT的击穿电压也更容易提高，对于功率较高的系统，最常见的值为1200V、1700V和3500V，而这对MOSFET而言几乎是不可能的，更遑论商业用了。