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磁盘式存储技术还有十年风光:闪存硬盘前景不容乐观

作者: 时间:2009-10-27 来源:physorg 收藏

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/99277.htm

  而STTRAM技术则基于电子自旋理论,利用改变自旋偏振电流的方法改变磁场方向,以此达到记录数据的目地。STTRAM技术在省电性能方面比PCRAM相变内存技术更为优越,不过目前这种技术每个存储单元只能储存单个bit,如果能够突破这种限制的话,那么预计未来十年内很有可能成为式硬盘技术的有力竞争对手。

  文中还指出:“令人惊奇的是,我们的研究表明,即便到2020年,式硬盘仍将是每TB价格最低的一种存储解决方案。另外,我们还发现业界投资最多的技术项目未必是发展潜力最大的技术,相反,这些技术公司只会在自己最擅长的技术上进行大量投资。”

  文章出自希捷前CTO之手,再联想到希捷在发展硬盘方面的步伐确实相当缓慢,我想现在大家应该不会为此而感到奇怪了吧。


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关键词:SSD闪存磁盘

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