索阅
100例
首 页
|
资 讯
|
下 载
|
论 坛
|
博 客
|
Webinar
|
高 校
|
专 刊
|
会展
|
EETV
|
百科
|
问答
|
电路图
|
工程师手册
|
Datasheet
开始创建词条
参与完善词条
元器件/连接器
消费类电子
工业电子
嵌入式系统
模拟IC
通信技术
EDA与制造
测试测量
电源管理
汽车电子
医疗电子
RSS订阅
EEPW首页
>
百科
> ReRAM
ReRAM
贡献者:
sylar
浏览:3090次 创建时间:2009-06-03
日本富士通的川崎实验室透露,他们研发除了一种新型的非挥发ReRAM(电阻式记忆体),能提供更低的功耗.
包含钛镍氧化物结构的ReRAM,在刷写时只需要100mA的电流甚至更少,相比传统ReRAM,研究人员还降低了90%的波动电阻值,这一技术指标在反复高速写入和擦除时会影响产品质量和寿命.
新的技术可以更快地完成存取,5毫秒内存取10000次.
这种ReRAM未来可以替代目前的FlashRAM,并且成本较低,表现也非常突出.
如果您认为本词条还有待完善,需要补充新内容或修改错误内容,
请编辑词条
查看历史版本
开放分类
半导体
参考资料
1.http://www.cnbeta.com/articles/45190.htm
贡献者
sylar
本词条在以下词条中被提及:
关于本词条的评论共:(0条)
匿名不能发帖!请先 [
登陆
]
ReRAM技术社区
ReRAM相关新闻
更多>>
晶圆代工开始关注新型存储
迷人的新型存储
富士通推出业界最高密度4 Mbit ReRAM量产产品
ReRAM即将跨入3D时代?
中芯国际为何锁定瞄准ReRAM?
比NAND闪存更快千倍 40nm ReRAM在中芯国际投产
40nm ReRAM芯片正式出样 中芯国际向上走势头劲
中芯国际正式出样40nm ReRAM芯片
ReRAM相关下载
更多>>
ReRAM相关电路
更多>>
ReRAM相关帖子
更多>>
你怕了么? 比闪存快20倍的ReRAM存储来袭