FeRam

　　FeRAM.它是利用铁电薄膜的双稳态极化特性——电滞回线制备的非易失性存储器，将铁电薄膜技术与集成电路工艺相结合制作铁电存储器（FeRAM）是新兴的边缘学科-集成铁电学中电引入瞩目的研究方向。

　　从目前的市场情况看，不挥发存储器的市场增长速度已高于DRAM和SRAM。应用需求主要在非接触IC卡、智能卡、移动电话、掌上电脑、手提计算机、嵌入式微处理器等领域。不挥发存储器最巨大的市场增长点在嵌入式存储器方面。嵌入式存储器阵列主要用于3个领域；非接触存储卡需要低密度（≤16Kb）不挥发存储器（NVM），当今市场较小（≤100Ｍ$），但具有巨大市场潜力。智能卡（ＳmartＣard）中需要中等密度到高密度（128Kb-1Mb）的NVM，目前市场规模为100M$,但增长极其快。嵌入式系统采用各种规模的ＮＶＭ（--２Ｍb）。估计市场为500M$-1B$,但在今后５年内增长极快。目前市场上的较低容量（１Ｍbit以下）的FeRAM的应用方向是为了取代同等容量的Ｅ２PROM。为此，其管脚设计和输入输出接口都采用现有的Ｅ２PROM的规范，这样就可以做到在对现有系统不作任何改动的情况下，直接取代Ｅ２PROM。

　　由于FeRAM的显着优点以及巨大的市场需求，国际展开了激烈的研究竞争。目前在铁电存储器商业化中遇到的主要挑战是缺少低成本的与硅基CMOS工艺集成的技术，达不到批量生产的原因主要是材料和存储单元结构问题。具体表现在很多器件停留在发表论文阶段；与主流产品存在技术代的差距，目前只有０.35μm器件采用MLM工艺。单元尺寸不会小于25Ｆ２，Ｆ是最小线宽。构成阵列的效率较低，在25-30％范围内。