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硒化亚铜
2009-06-03sylar
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cuprous selenide 分子式： Cu2Se 性质：黑色立方晶体。相对密度6.749。熔点1113℃。溶于氰化钾溶液。溶于盐酸时逸出硒化氢。与硫酸作用时，发生二氧化硫气体。可被硝酸氧化为亚硒酸铜。由化学计量的铜和硒混合物在真空石英封管内加热而得或由铜盐和亚硒酸的氨溶液经水合肼还原制得。用作半导体。
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硒化铋
2009-06-03sylar
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bismuth selenide 分子式：Bi2Se3 性质：黑色结晶体物质。斜方六面体晶结构。密度6.82g/cm3。熔点710℃。不溶于碱，易为浓酸、王水所分解。由硒和铋直接反应或氧化铋和硒化氢作用制取，为半导体材料和温差电材料。
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硒化汞
2009-06-03sylar
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mercury selenide；mercuric selenide 分子式：HgSe 性质：灰黑色正方晶体。有毒!相对密度8.266。在氮、二氧化碳气氛中或真空加热至约600℃时升华，升华物为紫黑色。导电率高，达3000Ω-1cm-1。为电子导电型物质。不溶于水，溶于硒氢酸铵溶液。由稀氯化汞溶液滴加于饱和硒化氢溶液中或由化学计量的汞和硒在封管内加热至550～600℃而得。是一种半导体材料。
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硒化锡
2009-06-03sylar
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tin selenide CAS号：1315-06-6 分子式：SeSn 分子量：197.67 钢灰色晶体物质，菱形晶结构。密度6.18g/cm3。熔点861℃。真空中于650～700℃挥发，可溶于碱金属硫化物和硒化物中，易溶于硝酸和王水中。 由硒和锡直接反应或锡盐和硒化氢作用制取。 为半导体材料。
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化合物半导体
2009-06-02sylar
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compound semiconductor 通常所说的化合物半导体多指晶态无机化合物半导体，即是指由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。包括晶态无机化合物[1](如III-V族、II-VI族化合物半导体)及其固溶体、非晶态无机化合物(如玻璃半导体)、有机化合物(如有机半导体)和氧化物半导体等。通常所说的化合物半导体多指晶态无机化合物半导
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氧化物半导体
2009-06-02sylar
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oxide semiconductor 具有半导体特性的一类氧化物。氧化物半导体的电学性质与环境气氛有关。导电率随氧化气氛而增加称为氧化型半导体，是p型半导体；电导率随还原气氛而增加称为还原型半导体，是n型半导体；导电类型随气氛中氧分压的大小而成p型或n型半导体称为两性半导体。非单晶氧化物可用纯金属高温下直接氧化或通过低温化学反应(如金属氯化物与水的复分解反应)来制备。氧化物单晶的制备有焰熔法
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