高功率密度二次模块的实现

概述：
高功率密度二次电源模块是目前发展最快的电源产品之一。对于DC/DC低压大电流输出，副边采用同步整流的有源箝位正激变换器虽有一定优点，但却是 一个使许多公司遭遇很大损失的美国专利。本文从现有高功率密度二次模块实现的方法出发，提供一些对此类产品的开发思路和产品优化方案。

1、引言
DC/DC二次电源是发展最为迅速的高频开关电源。它主要为通信单板上的各种IC供电，其趋势是低电压，大电流，低厚度，高功率密度和高效率等等。产品有 小功率非标准品和中大功率标准品两类，后者是目前发展的方向，如全砖，半砖，1/4砖和1/8砖。标准产品的功率密度愈来愈高，输出电压愈来愈低，输出电 流愈来愈大，产品工艺愈来愈难。

一个生产DC/DC二次电源模块的公司，必须具有快速的产品响应能力，方能适应通信客户迅速增长的需求。前几年，不少电源公司在开发DC/DC标准砖类产品中，一般会选择有源箝位正激电路作为主电路，用铝基板作为主工艺，原因是有太多的文献对。

有源箝位正激电路作了正面介绍，这些文献对有源箝位正激变换器的优点描述如下：
（1）因辅助开关SA，使变压器的激磁能量得以回馈和利用；
（2）变压器的充分去磁和I，III象限工作可减小变压器的体积；
（3）无开关电压尖峰，消除了吸收电路；
（4）可工作在大于0.5的占空比范围，从而可提高变压器变比（ Np : Ns ）,减小原边开关和变压器的导电损耗；减小付边二极管的反向电压从而减小其导电损耗；减小滤波电感L 的大小等等；
（5）低压大电流输出时，副边整流用的MOSFET能方便同步地进行自驱动。要将该电路做成一个好的产品，并不是一件容易的事情，原因是它的动态关系复 杂，动态指标难以优化，尤其在大动态时，非常容易损坏辅管。与其类似的专利是互补驱动半桥电路，它也是一个美国专利，也有同样的动态问题，而且在轻载时非 常容易损坏管子。
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