晶闸管 可控硅伏安特性伏安特性曲线
由图可以看出,晶闸管(可控硅)的阳极和阴极间加上正向电压,而控制极不加电压时,晶闸管的J1、J3结处于正向偏置,J2结处于反向偏置,晶闸管只能通过很小的正向漏电流IDR
晶闸管导通后,如果减小阳极电流,则当IA
当控制极加上电流IG
当晶闸管的阳极电压为负时的伏安特性称为反向特性。晶闸管加反向电压时,J1、J3结处于反向偏置,J2结处于正向偏置,晶闸管只流过很小的反向漏电流。这段特性与二极管的反向特性相似,晶闸管处于反向阻断状态。当反向电压超过图中的UBR
晶闸管正常工作时,外加电压不允许超过反向击穿电压,否则管子将被损坏。同时,外加电压也不允许超过正向转折电压,否则不论控制极是否加控制电流
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