晶体管耐压测量仪电路a

为了保证晶体管能够在电路中正常工作，常常要测量晶体管反向击穿电压。特别是对要求反向击穿电压比较高的管子，比如OCL功率放大器中差动放大器的管子，反向击穿电压要求大于几十伏．可用晶体管耐压测试电路测试。电视机视放输出和行输出的管子，要求大于一百几十伏，就更需要测量了。图5-23a是一个简易晶体管耐压测试电路，它能够测量晶体二极管、晶体管的厦向击穿电压，还能够测试晶体稳压
管的稳压特性。
电路说孵：二极管加上反向电压，反向电流是很小的。但反向电压加大到某一数值的时候，反向电流急剧增大，管子进入反向击穿状态，如图5-23b所示。管予进入击穿状态后，通过管子的电流，主要取决于外电路，如果外电路泼有限制电流的措施，电流就会很大，管子就有烧坏的危险。
晶体管反向击穿电压就是反映击穿特性的。它是指反向电流达到某一个规定值时的反向电压。这个反向电流的规定值可以从晶体管特性表测试条件中查出。
在图5-23的电路中，变压器把220V的交流电压变成250V的交流电压，经过二极管整流和电容滤波，获取300V的直流高压。有负载的时候电压要低一些。
电压表用来测量二极管或者晶体管的反向击穿电压，电流表用来监视二极管或者晶俸管反向电流。
(1)测量大功率管子的BVceo当单刀双掷开关S拨到“大功率”处，可以测量大功率二极管或者晶体管的反佝击穿电压。比如测量3AD30的集电极发射极反向击穿电压BVceo，电流表进用50mA档，电路如图5-22c所示。R1和RP1组成限流电阻。从晶体管特性表中可以查到‘．3AD30的BVceo测试条件是反向电流20mA．调节RP1，使电流表指针落在20mA处。这时候，电压表的读数就是这个管子的集电极发射极反向击穿电压。如果测量反向击穿电压BVceo．基极发射极之间接一个规定的电阻。比如测3AD30的BVceo，要接20fz左右的电阻。
(2)测量小功率管子的BVceo当单刀双掷开关S拨到“小功率”处，可以测量小功率二极管或晶体管的反向击穿电压。比如测量3DG6的集电极发射极反向击穿电压，电路中的电流表选用500riA档，电路如图5-23d所示，尺2和RP2组成限流电阻，电压表要用高内阻电压表。从晶体管特性表中可以查到，3DG6的BVceo测试条件是反向电流lOOyA。调节RP2使电流表指针落在100VA处。这时候，高内阻电压表的读数就是这个管子的集电极发射极反向击穿电压。
(3)涮量稳压管的稳压特性测量稳压管的时候，S也拨到“大功率”处。除了可以从电压表上读到稳压管的稳压值外，调节RP1，还可以测出稳压管在几毫安到20mA的稳压特性。
(4)元器件选择变压器可用市售的电源变压器。整流二极管可用耐压大于300V、正向电流大于lOOmA的2CP型管子。
测量大功率管子的时候，电压表用简易万用电表的电压档就可以了。但是在测量小功率管子的时候，一定要用高内阻的电压表，比如每伏20kfl的电压表或者用简易晶体管电压表，否则是测不出来的。