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绿达同步整流芯片GR8387适用于LLC/QR大功率电源

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作者: 时间:2009-12-16 来源:绿达光电 收藏



图 3: 单端高侧整流,副边辅助绕组供电 (任何输出电压)

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/101393.htm

PCB布线指南和实例:
  a. 芯片放置:因芯片须检测同步整流开关管VDS电压值,为了得到快速准确的电压信号,必须将芯片尽量接近 MOS管。两者之间的走线距离不可超过 10 毫米。
  b. 芯片去耦电容:为达到好的滤波效果,去耦电容应尽量接近 VCC 脚。引线
尽量短。
  c. MOS管电压检测VD/VS:
可以准确的检测同步整流 MOS管漏极到源极的电压。引线应尽量短并且远离电源地。如使用SO-8封装 MOS管,VS 和 GND 两脚引线最好在 MOS管源极处连接,不可在先连接这两个管脚再接源极,如图4 所示。。在 MOS管置于低侧的设计中,若使用了电流检测电阻,不可将它置于同步整流 MOS管驱动或检测的回路中。否则会在 VCC 上产生噪声。如图14 所示。

  图4 单面板焊接面视图,SO-8 MOS管,OVA接地

  如果需要资料和样片可以联系
  Daiv Deng: 13603083546
  email:daivdeng@grenergy-ic.com
  公司网站:www.grenergy-ic.com


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