通过USB连接器保护电源和充电器件的安全

　　在图3的案例2中，输出电容已被移除。这样，当 OVP器件输入端出现快速输入瞬态现象时，旁路元件将保持开路。这时可以在输出端观察到过冲，这个过冲可能会损坏连接至OVP输出端的电子元器件。为了解决这个问题，必须在输出引脚上连接一个输出电容，并尽量靠近OVP器件摆放。

　　由于源极和漏极之间存在PMOS寄生电容，在输入脉冲期间正电压电平将被传递，从而在PMOS驱动器唤醒期间维持一个比门电位更低的电压(电容填充)。1个1μF的陶瓷电容足以解决这个问题。见图3中的案例1。

　　另一个要点是过压阀值的定义。过压锁定(OVLO)和欠压锁定(UVLO)阀值由发生欠压或过压事件时切断旁路元件的内部电容所确定。OVLO电平必须高于Vbus最大工作输出电压(5.25V)加上比较器的滞后电压。同样，UVLO参数的最大值必须低于系统中第一个元件的最大额定电压。通常 OVLO的中心位于5.675V，能够有效保护下游系统，使其承受6V的电压，而Vusb纹波电压可达5.25V。此前的文章(参考资料1)中提供了更详细的资料，也提供了与墙适配器电源兼容的OVLO和UVLO参数值。

　　在设计OVP部分时，鉴于驱动关键电流的内部MOSFET的原因，不应忽视散热问题。大家已经明白为什么建议这类保护使用PMOS(低电流消耗)，而且由于PFet比NFet拥有更高的导通阻抗(Rdson)，必须优化热传递，以避免热能损坏。根据应用所需的功率，建议采用具有裸露焊盘的封装 (如NCP360 μDFN)。器件数据手册中提供了RθJA图表，也可以联系安森美半导体销售代表了解进一步信息。

　　几种不同的保护等级

　　正如“电气特性和防护措施”小节所述那样，浪涌电流是造成器件电气损坏的根源之一，需要采用OVP器件来克服这一问题。为了避免任何类型的浪涌行为，OVP器件中通常都包含了软启动顺序。这个特殊顺序贯穿于PFet门的逐渐上升过程中，见图4。

　　图 4：克服浪涌的OVP器件的软启动过程