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赛灵思宣布采用 28 纳米工艺加速平台开发

—— 赛灵思宣布采用 28 纳米高性能低功耗工艺
作者: 时间:2010-02-23 来源:电子产品世界 收藏

  加速平台发展,推动可编程技术势在必行之发展趋势

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/106196.htm

  随着 ASIC 和 ASSP变得只适用于那些最大批量规模的应用,赛灵思积极致力于的降低总功耗的努力,在全面发掘的可用潜力以帮助系统支持多种应用方面就越发重要。例如,便携式医疗设备需要降低价格、缩减尺寸、降低静态功耗以支持电池供电操作,同时还要减少热耗散以便满足航空航天和国防领域在高性能计算、电子战和雷达系统方面较高的性能需求。而太空与国防领域的应用则需要借助降低散热来提升性能,让电子作战与雷达系统具备更高性能的运算能力。

  全新硅器件和开发工具将构成赛灵思和第三方合作伙伴共同推出的新一代目标设计平台的基础平台,并将提供只有借助赛灵思的工艺技术、架构和工具创新才能实现的“超高端”。

  超高端集成了较高的串行 I/O 带宽,逻辑密度比目前高端 FPGA 的逻辑密度高一倍多,而且采用高带宽接口支持新一代存储技术。这样,电信系统开发人员就能用它来替代单个大型 ASIC 或 ASSP 芯片组,满足以下应用的需求:

  · 电信系统的高端 Tb 级交换结构:超高端 FPGA 可通过集成全球最高带宽的串行 I/O 来支持 1Tbps 全双工交换机的单芯片实施方案,其逻辑密度比目前的 FPGA 翻了一番,而且高带宽接口可支持新一代存储技术以最终取代单个大型 ASIC 或ASSP 芯片组。

  · 400G 光传输网络 (OTN) 线路卡:单部超高端 FPGA 所执行的带宽足以支持多个 40G 或 100G 单芯片实施方案以替代线路卡上的多个 ASSP。

  供货情况

  建立在台湾半导体制造有限公司 (TSMC)三星(Samsung)代工高性能低功耗高介电层/金属闸 (high-k metal gate)工艺技术之上的技术的初始器件将于 2010 年第四季度上市,并将于同年 6 月提供 ISE 设计套件初期工具支持。


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关键词:Xilinx28纳米FPGA

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